台积电与 ASML 推进 High-NA EUV,12 英寸光罩路线锁定 2033 年量产

台积电与 ASML 推进 High-NA EUV,12 英寸光罩路线锁定 2033 年量产

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News Editor
2026-09-08 23:58:47
台积电与 ASML 宣布深化战略合作,计划自 2030 年起在先进制程量产中导入 High-NA EUV,并推动现行 6 英寸光罩升级至 12 英寸。双方拟在 2031 年前建立 12 英寸光罩试产线、2033 年实现系统全面就绪量产。报道提到,这一路线意在解决巨型 AI 芯片在曝光视野缩减下的拼接瓶颈;分析师封开平点名家登与帆宣为直接受益台厂。

台积电与半导体微影设备厂商 ASML 正式宣布深化战略合作,确认台积电将自 2030 年起,在先进制程量产中导入高数值孔径极紫外光(High-NA EUV)技术,并同步推动光罩规格从现行 6 英寸升级到 12 英寸。

根据双方规划,12 英寸光罩试产线将在 2031 年前建立,目标是在 2033 年实现系统全面就绪并进入量产。这项安排被报道形容为芯片制造史上规格变化幅度极大的调整。

台积电与 ASML 锁定 High-NA EUV 导入时间

报道指出,过去市场对 High-NA EUV 的疑虑之一,在于单机价格高达 3.5 亿至 4 亿欧元,可能推高晶圆厂折旧负担。另一项更关键的技术问题,是数值孔径提升后,曝光视野(Reticle Field)缩减一半。

在这一限制下,英伟达和 AMD 等客户设计的大型算力芯片,需要依赖两张 6 英寸光罩进行拼接微影,进而拖累生产效率,并压低良率。

12 英寸光罩被视为回应视野减半问题的方案

市场分析师黄世聪表示,台积电这次直接针对「视野减半」限制拍板时程,没有采取折中修补方案,而是与 ASML 共同制定 12 英寸大尺寸光罩规格。按报道说法,这相当于为未来十年的技术体系建立更高门槛。

分析师封开平则称,英特尔虽率先接收首批 High-NA 机台,但在缺乏大尺寸光罩支持的情况下,仍面临曝光成本偏高与拼接瓶颈。报道援引其看法称,台积电选择在经济规模与架构成熟时切入,有助于巩固其在晶圆代工与先进封装领域的话语权。

同一报道还提到,未来三星与英特尔等竞争对手若要确保制程良率与相容性,也必须跟进台积电推动的标准与验证体系。

家登与帆宣被点名为直接受益者

随着光罩尺寸由 6 英寸扩大到 12 英寸,报道指出,光罩基板、曝光、传输盒、清洗、自主化搬运与晶圆测试等整套生态体系都将重整,现有多数设备无法直接沿用。

封开平特别点名两家台厂。其一是家登(3680)。报道称,家登在全球 EUV 光罩传送盒市场的占有率超过八成。若规格升级至 6×12 英寸,现有 Pod 将无法兼容,需针对大尺寸重新开模,并重新认证微环境系统,产品平均销售单价与毛利率有望上升。

另一家是帆宣(6196)。报道称,帆宣长期为 ASML 的光学次系统模组与设备制造合作伙伴。未来若 ASML 因应 12 英寸光罩调整微影机台内部腔体与传输结构,帆宣将承接改机与模组代工订单;同时,晶圆厂无尘室自动化搬运系统(AMHS)产线更新,也将带来厂务工程机会。

量产节奏指向 2031 年试产、2033 年放量

报道最后提到,虽然「12 英寸光罩」概念已带动设备与检测相关族群的估值重估,但由于试产线预计在 2031 年建立、量产节点落在 2033 年,投资人更应关注是否具备前期开案与验证订单的公司。

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