CFET竞逐升温：英特尔、台积电、三星与IBM押注1纳米后晶体管

半导体行业在平面晶体管、FinFET和GAA纳米片之后，正把下一代微缩重点转向CFET。英特尔、台积电、三星和IBM研究院近三年先后在IEDM与VLSI会议上展示功能器件或电路，并分别推进单片集成与顺序集成两条路线。多篇论文显示，CFET被视为跨越2纳米、迈向sub-1纳米时代的关键架构，但底层器件接触、热预算、高深宽比加工和刻蚀选择比仍是量产前的核心难题。