SK海力士在印第安纳州动工建厂，瞄准下一代 HBM 封装与测试

SK 海力士 8 月 27 日在美国印第安纳州举行先进封装人工智能晶圆厂奠基仪式，计划投资超过 40 亿美元，建设美国首个高频宽内存 HBM 生产据点。项目位于西拉法叶，预计 2028 年 10 月启用无尘室，2029 年下半年量产，并招聘约 1,000 名人员。该厂将承接韩国生产的先进晶圆，完成封装和测试后以“美国制造”形式交付，同时配套建设研发测试平台，并与普渡大学签署合作备忘录。