ASML上调全年指引并披露扩产路线图,华尔街集体看多AI芯片设备需求

ASML上调全年指引并披露扩产路线图,华尔街集体看多AI芯片设备需求

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News Editor
2026-07-15 14:54:59
ASML公布远超预期的二季度业绩后,上调全年营收和毛利率指引,并首次明确给出 2027 至 2028 年低数值孔径 EUV 与浸没式 DUV 的扩产安排。高盛、摩根大通、巴克莱等机构随后维持或重申买入、增持观点,认为这份成绩单强化了 AI 驱动的逻辑与内存需求,也对内存价格将在 2028 年前见顶的看空叙事形成反驳。
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ASML 发布远超预期的二季度业绩后,华尔街主要投行迅速转向一致看多。公司不仅交出高于市场预期的营收和盈利数据,还上调了全年指引,并罕见披露 2027 年至 2028 年的产能扩张路线图,直接回应了市场对 AI 驱动需求能否持续的核心疑虑。

业绩公布后,ASML 阿姆斯特丹股价上涨约 4%,纳斯达克 100 指数期货同步上涨约 40 个基点。SK Hynix 首尔上市股票单日上涨 8.8%,补涨此前其美国存托凭证 27% 的涨幅。

二季度业绩和全年指引均高于预期

ASML 二季度营收为 93 亿欧元,高于彭博统计的市场共识 89 亿欧元,毛利率达到 54%,明显高于公司此前给出的 51% 至 52% 指引区间。公司随后将 2026 年全年营收指引从 360 亿至 400 亿欧元上调至 430 亿至 450 亿欧元,中位数较市场共识高出约 11%;全年毛利率指引也上调至 54% 至 56%。

据高盛研报,ASML 二季度营收为 93.27 亿欧元,较市场共识高出 6%;息税前利润为 34.56 亿欧元,超出共识 13%;每股收益为 7.58 欧元,超出共识约 11%。毛利率 54% 不仅高于指引上限,也比市场共识高出约 230 个基点。

三季度指引同样强于预期。公司预计三季度营收在 110 亿至 120 亿欧元之间,中位数较市场共识高约 11%;毛利率指引为 55% 至 57%。据摩根大通研报,三季度营收中位数 115 亿欧元较共识高 12%,毛利率中位数 56% 较共识高 350 个基点,这意味着三季度息税前利润将较市场共识高出约 26%。

已安装基础管理业务成为支撑点

摩根大通分析师 Sandeep Deshpande 表示,这次业绩超预期的一部分来自已安装基础管理(IBM)业务。该业务收入较预期高出约 3 亿欧元,软件主导的生产力升级,以及 EUV 服务安装基础的持续扩大,预计将推动这一业务在今年实现逾 30% 的增长,并为毛利率带来额外支撑。

2027 至 2028 年扩产安排引发盈利预期重估

这次财报中最受关注的部分,是管理层对 2027 年和 2028 年产能扩张的明确表态。ASML 表示,在 2026 年约 65 台低数值孔径 EUV 产能基础上,2027 年将扩产约 30% 至约 85 台,并正在研究 2028 年再扩产 30% 至约 110 台。与此同时,DUV 浸没式产能也将从 2026 年约 130 台增至 2027 年约 169 台,2028 年进一步增至约 220 台。

据高盛测算,这意味着 2027 年和 2028 年低数值孔径 EUV 出货量将达到 85 台和 110 台,显著高于市场共识的 85 台和 89 台;浸没式 DUV 出货量将达到 169 台和 220 台,同样高于市场共识的 137 台和 146 台。

摩根大通称,2028 年产能指引已经高于该行此前作为卖方给出的最高预测。按其粗略测算,若上述产能规划落地,ASML 2028 年每股收益将超过 65 欧元;再叠加已安装基础管理业务的强劲势头,实际盈利可能更高。高盛交易台也指出,2028 年约 110 台的 EUV 产能目标已经落入“超级乐观区间”,即 110 至 120 台,远高于卖方约 89 台的共识预期。

高盛表示,ASML 已基本锁定 2027 年所需的大部分 EUV 订单,并已收到相当数量的 2028 年订单,管理层将订单接收情况描述为“极为强劲”。

AI 需求同时拉动逻辑与内存投资

管理层称,AI 驱动的需求正在逻辑芯片和内存两条线同时强化,支撑客户在先进制程节点继续扩产。

在先进逻辑领域,ASML 表示,客户正同时在 5/4/3 纳米节点增加产能以满足 AI 需求,同时尽可能激进地推进 2 纳米量产,并开始为 1.4 纳米制程过渡做准备。公司预计 2026 年先进逻辑营收同比增长约 25%。

在内存领域,ASML 表示,DDR 和 HBM 供应偏紧正在推动客户加快投资,EUV 以及先进浸没式光刻强度的提升,也在继续拉动设备需求。公司预计 2026 年内存营收同比增长约 75%。

高盛交易台指出,随着内存市场向 HBM4、HBM5 以及传统服务器 DRAM 所需的先进 1c、1d 纳米节点过渡,内存制造正在经历根本性的范式变化。1c DRAM 的 EUV 层数已增至五层以上,而 1d 和 0a 代计划在所有层中全面采用 EUV 技术。深紫外光多次图形化工艺已接近物理极限,ASML 因此成为这一结构性转型的主要受益者。

高盛还表示,HBM 所需的晶圆强度明显高于传统 DRAM,这种双重扩张正持续挤压全球晶圆厂产能,并推动内存价格在更长时间内维持高位。鉴于向先进节点过渡本身具有结构性复杂性,那些认为内存价格将在 2028 年前见顶,或供应缺口将显著缓解的看空观点,“听起来为时过早”。

多家投行上调预期,分歧集中在 2027 年指引

财报发布后,多家华尔街机构迅速给出正面评价。高盛维持买入评级,12 个月目标价为 2000 欧元,较当前股价隐含约 29% 上行空间;摩根大通同样维持增持,目标价 1900 欧元。

巴克莱分析师 Simon Coles 表示,ASML 给出了投资者期待中的大部分内容,2027 年和 2028 年低数值孔径 EUV 的产能指引,应能减少市场围绕公司是否受到供应约束的争议。他还指出,上半年低数值孔径 EUV 订单金额可能高达 220 亿欧元,达到历史纪录水平。

摩根大通分析师 Sandeep Deshpande 认为,虽然公司 2027 年未达到 90 台 EUV 产能,但“我们认为这无关紧要”,因为 2028 年的 EUV 和 DUV 产能指引远超预期,而且 2026 年营收增速约 35%,已高于当前市场对晶圆厂设备行业整体增速的预期,说明公司实际上已在为未来两年约 30% 的增长定调。

摩根士丹利分析师 Lee Simpson 则表示,虽然公司不再披露订单数据,但管理层称上半年订单接收持续“非常强劲”,客户正在寻求加快产能扩张,这预示着 2027 年销售势头强劲。

Jefferies 分析师 Janardan Menon 的态度相对审慎。他认为,公司展望评论喜忧参半,已安装基础管理业务销售额和毛利率的强劲增长是积极信号,但 2027 年 EUV 指引低于近期快速上升的市场预期。

Oddo BHF 预计,市场共识盈利预测将上调约 20%,并表示,“ASML 仍是无可匹敌的技术主导地位的故事,现在受益于 AI 驱动的根本不同的周期”。

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