长鑫半年净利 776 亿元后再投 349 亿元加码下一代 DRAM

长鑫半年净利 776 亿元后再投 349 亿元加码下一代 DRAM

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News Editor
2026-09-30 02:06:13
长鑫科技 9 月 28 日披露两项投资计划,总额 349 亿元,分别投向 241 亿元技术研发项目和 108 亿元存储器晶圆后道测试基地二期。公司 2026 年上半年实现营收 1503.1 亿元、归母净利润 776.05 亿元,毛利率达 84.84%。同日,兆易创新上调与长鑫集团 2026 年度日常关联交易预计额度至 78.54 亿元,显示产业链需求仍在释放。

长鑫科技在交出一份高利润半年报后,迅速把资金重新投向产线与研发。

长鑫半年净利 776 亿元后再投 349 亿元加码下一代 DRAM 2

9 月 28 日晚,长鑫科技(688825.SH)连续发布两份投资公告,分别为总投资 241 亿元的技术研发项目,以及总投资 108 亿元的存储器晶圆后道测试基地二期项目,单日规划投资合计 349 亿元。其中,180 亿元拟直接使用 IPO 超募资金,其余部分通过增资借款补足。

上半年净利润 776.05 亿元

根据长鑫科技 2026 年上半年业绩数据,公司实现营业收入 1503.1 亿元,同比增长 873.64%;归母净利润 776.05 亿元,而上年同期为亏损 23.32 亿元。主营业务毛利率为 84.84%,经营性现金流净额达到 1311.56 亿元。

从单季度看,公司一季度归母净利润为 247.62 亿元,二季度升至 528.43 亿元,环比增长 113%。文中认为,这意味着截至今年年中,涨价带来的利润仍在加速释放。

据 CFM 闪存市场数据,2026 年二季度全球 DRAM 市场规模为 1470.24 亿美元,环比增长 55.9%,创历史新高。报道提到,在三星、SK 海力士、美光之后,长鑫存储的市场份额已接近 10%,位列全球第四,且季度销售收入环比增幅居全球第一。

349 亿元投向研发和测试

两项投资中,研发项目总投资 241 亿元,建设周期 30 个月,重点投向 DRAM 制程工艺迭代。报道称,长鑫在 9 月已实现第五代 DRAM 工艺技术平台正式量产,依托四重曝光技术,将内存阵列有源区半间距微缩至 11.95 纳米,进入全球头部量产制程行列。

长鑫科技今年上半年研发投入为 68.59 亿元,同比增长 87.38%。以此计算,241 亿元约为其上半年研发投入的 3.5 倍。

另一项 108 亿元的存储器晶圆后道测试基地二期项目,建设周期为 37 个月。公告显示,随着产能持续释放、产品矩阵不断丰富,外部封测产能不足、配套资源受限,已经开始制约产能释放。该项目建成后,将承担 DRAM 晶圆测试和模组组装,补强 IDM 模式下的后道测试能力。

报道同时指出,349 亿元是两个项目的规划总投资,其中 180 亿元拟使用超募资金。文章认为,这一投入并未新增债务,也没有稀释股东权益。

兆易创新上调关联交易预计额度

9 月 29 日晚,兆易创新公告称,将 2026 年度与长鑫集团的日常关联交易预计额度从 57.11 亿元上调至 78.54 亿元。公告给出的原因是,DRAM 产品代工价格随市场行情上行。同时,公司预计 2027 年 1 至 4 月的关联交易额度将达到 44.11 亿元。

文中对这组数据进行了对比:44.11 亿元仅为 4 个月的预计额度,已高于兆易创新 2026 年一季度全部营收 41.88 亿元,并接近其 2025 年全年营收 92.03 亿元的一半。而 2025 年双方实际发生的关联交易约为 11.8 亿元,一年时间,额度增至 6.7 倍。

执行进度方面,2026 年 1 至 8 月实际发生额为 35.96 亿元,距离 78.54 亿元上限仍有 42.58 亿元空间。报道据此判断,四季度采购节奏大概率还会提速。

美股存储板块走弱,A 股长鑫收跌 4.27%

在长鑫公告发布前后,美股存储板块出现普遍下跌。美光收跌 2.61%,SK 海力士收跌 5.03%,闪迪收跌 3.65%,费城半导体指数收跌 1.61%,盘中一度跌 3%。报道给出的背景是,10 年期美债收益率盘中升至 5.27%,创 2007 年以来新高,30 年期美债收益率升至 5.57%,创 2002 年以来新高。

A 股方面,长鑫科技 9 月 28 日收盘下跌 4.27%,总市值为 3.65 万亿元,但仍位居 A 股市值榜首。文章将此概括为,本土龙头继续重金扩产,而海外存储资产则面临估值收缩。

报道还提到,随着存储原厂与部分服务器客户锁定长协价格上限,非长协订单的涨价空间正在逐季缩小,机构普遍预期三季度 DRAM 价格继续上涨,但涨幅收窄。

扩产节点指向 2029 年

文章把这笔 349 亿元投资放进 DRAM 深周期框架下观察,认为行业格局变化往往发生在下行周期中的扩产决策阶段。以长鑫此次项目时间表看,测试基地二期建设周期为 37 个月,投产节点大约落在 2029 年,对应的可能是本轮紧缺缓解、供需重新寻底的窗口。

报道还列举了长鑫在产品端的进展,包括 LPDDR6 全球首次商用量产,首发于小米 18 Fold,峰值速率 12800Mbps、最高容量 16GB;以及长鑫 10667Mbps 的 LPDDR5X 已在努比亚 NaviX Ultra 上落地,被称为国产该速率级产品首次量产应用。

文章最后提到,接下来更值得关注的变量,包括 11.95 纳米之后第六代工艺何时点亮、78.54 亿元关联交易额度明年的执行速度,以及 2029 年测试基地投产时行业所处的周期位置。

本文来自微信公众号「来咖智库」(ID:laikazk),作者:AA,编辑:G3007。原文称,内容基于公开信息整理,不构成投资建议。

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