7月28日前后，全球存储板块遭遇集体抛售。过去一个交易日内，SK海力士、美光等龙头股价大幅下跌，SK海力士和三星电子跌幅都超过13%，两家公司合计市值蒸发约280亿美元；美股周二交易中，美光收跌8.85%，闪迪下跌14.25%，希捷下跌8.53%，西部数据跌超6.9%，市值合计蒸发约148亿美元。
按文中披露的数据计算，上述韩美主要存储公司单日市值损失接近430亿美元。公开资料还显示，SK海力士较6月高点已累计回撤约45%至47%，市值蒸发近6000亿美元；美光科技自高位回调超过30%；日本铠侠在一个月内缩水近半。
亮眼业绩未能托住股价
这一轮下跌最受关注的地方，在于股价走势与基本面表现明显背离。7月7日，三星电子发布第二季度初步业绩，单季营业利润达到89.4万亿韩元，同比增至18倍，并超过2023年至2025年三年的利润总和。但财报公布后，三星电子股价盘中反而一度跌超10%，并拖累KOSPI指数跌近5%。
SK海力士在7月29日公布的第二季度财报中，营收为79.3万亿韩元，同比增长257%；营业利润60.5万亿韩元，同比增长557%；营业利润率升至76%。美光截至2026年5月的财季营收达到415亿美元，同比增长346%，毛利率升至84.6%，自由现金流达到176亿美元。按公司管理层表述，需求远超供应能力，这种局面将持续到2028年。
业绩高增与股价重挫同时出现，成为市场追问的核心。
ADR套利与韩国监管变化成为直接刺激因素
文中提到的第一个线索，是SK海力士在美股发行ADR后引发的跨市场配对套利交易，即“做多美股ADR、做空韩国本土正股”。彭博援引瑞银发给客户的报告称，许多此前未将韩国上市SK海力士股票纳入可投资范围的全球投资组合经理，现在可以直接买入新的SK海力士ADR。
瑞银在报告中写道：“从发行第一天起就购买美国存托凭证并卖出韩国普通股，这看起来是一笔稳赚不赔的交易。”
另一项刺激因素来自韩国监管收紧。7月16日，韩国金融服务委员会宣布收紧单一股票杠杆ETF监管规则，将最低保证金门槛从1000万韩元提高至3000万韩元，并限制每人每次最多购买20股。
摩根大通分析师Nikolaos Panigirtzoglou表示，当时存储芯片杠杆ETF持仓规模占相关公司市值的比例，已达到普通股票ETF的3倍。在股价下跌阶段，杠杆ETF收盘再平衡机制触发程序化抛售，迅速放大卖压。当天，SK海力士再跌超11%，三星电子跌超8%，抛售情绪很快扩散到欧美市场。
AI资本开支回报疑虑扩散到HBM供应链
如果把时间线拉长，这轮回撤也与市场重新评估AI投入回报有关。7月22日，谷歌公布第二季度财报，并把全年资本支出指引从1800亿至1900亿美元上调到1950亿至2050亿美元，但盘后及次日股价均收跌。文中提到，市场担心持续抬升的资本支出会压缩自由现金流，而AI投入的回报仍存在不确定性。
评级机构穆迪也发出警告称，每年接近1万亿美元的AI竞赛，正迫使谷歌、微软等现金流充裕的大型企业更多依赖债务和表外融资。目前六大云服务商的直接债务合计约4600亿美元。
在这种背景下，只要大厂给出的指引略低于预期，市场就可能重新定价对AI需求高度敏感的HBM供应链股票。新韩证券分析师姜振赫表示，投资者的注意力已重新转向AI投资周期可持续性，以及中国存储产业竞争力增强等问题，避险情绪被明显点燃。
渣打银行股票首席投资官Sundeep Gantori则称，这轮抛售反映出市场对半导体板块整体情绪转弱，部分机构甚至在最新研报中预计，存储价格将在2027年见顶。
迈克尔·巴里公开加码做空存储板块
在市场波动最剧烈的时候，《大空头》原型迈克尔·巴里公开披露，自己正大举做空存储芯片板块，并继续加仓。
按文中梳理，巴里在7月2日首次建立美光科技空头头寸，进场价约为1051.87美元；7月25日，他继续加码做空美光和英伟达，其中美光股价为933.86美元，英伟达股价为210.28美元，同时还对SOXX半导体ETF建立空头仓位。
他做空存储股的逻辑主要有三点。第一，美光估值相对历史均线偏离明显。文中称，美光作为美股唯一纯DRAM标的，在过去42年中曾有34次跌幅超过30%的深度回调，目前其股价相对200日均线的偏离度已创下1984年以来最高水平，高于2000年互联网泡沫高点。
第二，资本回报率偏低。美光长期ROIC中位数为4%，ROE为7%，历史上约三分之一季度处于“摧毁资本”的状态。
第三，终端需求存在虚高风险。文中称，巴里认为英伟达带动的强劲需求并不完全来自终端真实消费，而是受到表外融资和资本循环安排推动，并援引国际清算银行（BIS）2026年年报作为支撑。
对于韩国厂商近期公布的扩产计划，巴里判断这是半导体景气周期由盛转衰的标志性节点，并预计整个板块将出现至少30%的回调。
不过，市场并非只有空头声音。多头观点认为，美光最新季度财报是公司历史上表现最强的一次，营收、利润率和现金流都创下纪录。科技媒体CoinCentral的分析则认为，巴里真正押注的不是终端需求立刻崩塌，而是存储原厂资本开支失控。文章提到，美光高达270亿美元的资本支出，可能为下一轮下行周期埋下压力。
超级扩产计划加重市场对2027年供给的担心
在这轮下跌出现前几周，全球存储产业仍处在一轮大规模合作之中。7月24日至25日的旧金山AI峰会上，SK集团与英伟达签下总额超过5000亿美元的长期协议，涉及HBM供应锁定和HBM4联合开发；再加上与微软、Anthropic的合作，总规模约7500亿美元。
同期，三星电子与博通签署最高价值2000亿美元的备忘录。按文中说法，这两家韩国企业合计约9500亿美元的大单，被外媒称为史上最大规模的半导体长期供应锁定。
同一时期，AMD收购MEXT，试图用闪存“伪装”DRAM以压低内存成本；Meta也与闪迪锁定多年NAND供应。
不过，这些合作并未给存储概念股带来持续支撑。相比短期股价波动，更让长线资金不安的是韩国政府在6月底推出的大型产业计划。根据文中信息，三星电子与SK集团将联合投入800万亿韩元，在韩国西南部新建4座晶圆厂，目标是在5年内让存储芯片产能翻倍。
再加上配套的550万亿韩元HBM封装枢纽和数据中心建设，整体投资规模达到1350万亿韩元，约合8800亿美元，相当于韩国2024年GDP的5%。
这意味着，存储原厂过去两年依靠控产和将产能向高利润HBM倾斜所建立的供给纪律，可能被重新打破。文中称，SK海力士2026年资本开支预计将增加43%至40万亿韩元，美光2026财年资本开支也将同比翻倍。
晨星分析师Jing Jie Yu警告，随着2027年至2028年新增产能集中投放，行业将不可避免地面临更明显的价格侵蚀。AInvest也表示，原厂扩产不再只是由AI需求驱动的扩张，而更像是2022年至2023年产能过剩和价格暴跌周期的重演。
虽然晶圆厂从开建到产能落地通常需要18至24个月，文中提到三星P5工厂量产时间排在2027年下半年；TrendForce也判断，在这之前DRAM供不应求格局难以根本扭转，但二级市场交易的是预期，而不是当期供需。
按作者的总结，韩国这一轮超级扩产计划，打破了市场对高芯片单价可持续的想象。7月28日的存储板块重挫，折射出的不是单一事件，而是基本面强势与远期预期转弱之间的错位。资本市场已经开始提前为2027年潜在的供给过剩定价，而按巴里的判断，2027年下半年至2028年韩国新厂集中量产的阶段，才是存储行业真正的考验期。