中国内存厂商长鑫存储（CXMT）在上海科创板挂牌首日股价较发行价上涨 472%，盘中隐含市值一度突破 5,000 亿美元，并短暂超过英特尔（Intel）。围绕这家公司的上市表现与扩产前景，高盛（Goldman Sachs）发出警告，称内存产业遇到了“新麻烦”。
长鑫存储上市首日受关注
这次挂牌被视为近年最受关注的 IPO 事件之一。长鑫存储在中国内存供应链中占据关键位置，而其上市后的估值表现，也迅速引发全球对中国半导体自主能力的讨论。
报道提到，苹果（Apple）据报正积极评估将长鑫存储纳入 DRAM 替代供应商名单，以降低对三星（Samsung）、SK 海力士（SK Hynix）和美光（Micron）的依赖。若这一安排落地，长鑫存储在全球供应体系中的位置将被进一步抬高，现有三巨头主导的格局也会受到冲击。
高盛闭门会议聚焦中国 DRAM 扩产
在长鑫存储上市前夕，高盛于 7 月 24 日召开了一场围绕中国内存产业的闭门专家会议，讨论重点包括中国 DRAM 产业扩产趋势、技术路线演进，以及全球内存价格走势。Zerohedge 对这场会议的解读是：“内存产业遇到了新麻烦。”
在产能判断上，与会专家对中国主要 DRAM 厂商的扩产前景维持乐观，预计到 2030 年，中国内存龙头的年产能将较当前水平翻倍。高盛同时指出，这轮新增产能的关键变化，在于中国本土半导体设备的使用比例正在快速提高。
报道称，在部分厂房中，除光刻机（lithography machine）仍需依赖进口外，其余制程环节已大幅转向采用国产设备，反映出中国半导体供应链自主化进展。
技术路线指向 HBM3E 与 3D DRAM
面对 EUV 极紫外光刻设备的出口限制，中国厂商正沿着三条并行路线推进。报道提到，在 HBM 领域，长鑫存储已设定目标，计划在 2026 年量产 HBM3 和 HBM3E，进入 AI 服务器所需的高端内存市场，与 SK 海力士、三星和美光展开竞争。
由于 EUV 设备受出口管制影响，中国厂商正转向使用 DUV 光刻机，并配合多种创新制程路线，以缩小技术节点差距。
与此同时，3D DRAM 被视为另一条可能的突破方向。报道称，这项技术预计将在 2027 年迎来新一轮研发突破，并被看作绕开 EUV 限制、冲击高端制程的潜在方案。
高盛：下半年 DRAM 涨幅或收窄
在价格走势上，高盛专家认为，虽然供给端扩张信号已经比较明确，但需求端短期内仍存在分歧。进入第三季度和第四季度后，受智能手机品牌对内存涨价抵触情绪升温影响，DRAM 现货与合约价格的涨幅预计将较上半年明显收窄，消费电子市场对涨价的承受能力有限。
不过，高盛也提到，全球 AI 基础设施投资仍将支撑高端内存需求，成为对冲消费市场疲弱的重要力量。整体来看，高盛预计内存价格的上行趋势将持续到 2027 年，核心支撑来自 AI 服务器对 HBM 以及高速 DRAM 的需求。
随着长鑫存储上市并推进扩产，全球内存行业的竞争结构也在发生变化。