BlockBeats 消息，8 月 7 日，高盛亚洲首尔分部交易员 Justin Park 在当日报告中表示，韩国股市近期的剧烈波动，已将市场对存储芯片行业基本面的预期压到过度悲观水平。报告称，当前市场定价所隐含的悲观程度“超出实际情况”，本轮存储周期的强度与持续时间都可能超过以往。
高盛维持对韩国市场的超配立场不变，同时维持 KOSPI 未来 12 个月 12,000 点目标位。根据报告，韩国 KOSPI 指数在 6 月 22 日高点后曾一度下挫 39%，并在 7 月 31 日单日上涨 17.9%，创下历史最大单日涨幅。
高盛：此轮急跌并非基本面实质恶化
高盛认为，KOSPI 此轮急跌并不是因为基本面出现实质性恶化，而是市场对存储周期持续性的担忧先触发下跌，随后又被杠杆 ETF 的被动抛售以及短期动量投资者的跟风卖出明显放大。
从技术面看，高盛称市场状况已经出现明显改善，包括杠杆 ETF 规模收缩、保证金敞口下降、监管趋严，以及对冲基金仓位回落。报告认为，市场筹码结构正变得更干净，这为后续修复打下基础。
三项空头担忧逐条回应
HBM 配置下调担忧
针对第一项担忧，即英伟达拟下调 Rubin Ultra 的 HBM 配置，高盛给出了相反解读。报告认为，这一变化恰恰印证了 HBM 供给存在结构性瓶颈。高盛称，HBM 已成为 AI 产业链中供给最紧缺的核心组件，其可获得性将成为全球 AI 产业扩张的关键制约因素。
SK 海力士 LTA 策略的机会成本
第二项担忧聚焦 SK 海力士 LTA 策略带来的机会成本。报告称，大量产能被绑定在旧款 HBM3E 产线上，导致 SK 海力士今年二季度 DRAM 市场份额降至 26%，三星重新回到首位，份额升至 39%，美光与 SK 海力士之间的差距也收窄至仅 1 个百分点。
高盛认为，SK 海力士下一阶段的竞争力，取决于其能否快速完成产线切换。
NAND 业务复苏节奏
第三项担忧来自 NAND 业务“超预期但低于市场期望”的叙事所引发的获利了结。报告提到，消费及边缘计算业务环比大幅下滑 32%，管理层预计要到 2027 年才会出现实质性复苏。
不过，高盛的结构性判断是，DRAM 制程微缩空间正在趋于饱和，10 纳米可能将是最后一个节点。报告称，良率下降以及资本开支大幅攀升，将从结构上支撑其对存储周期的积极判断。
需求侧出现两个积极信号
在需求端，高盛提到两个积极信号。其一，长鑫存储已拒绝苹果的降价要求，当前定价与三星及 SK 海力士相当。其二，DeepSeek 正计划“大幅”提价。高盛认为，这标志着超低价补贴式 AI 推理时代正走向终结。