高盛 8 月 31 日发布存储器价格追踪报告称，三季度存储器价格仍在上涨，但不同品类的表现已经出现分化。TrendForce 将 3Q26 PC DRAM 价格涨幅预期上调至 18%至 23%，服务器 DRAM 维持 13%至 18%增幅，移动 DRAM 下调至 8%至 13%，NAND 预期约为 20%，基本符合高盛判断。
报告指出，各品类涨价背后的共同原因，是供应商持续把产能向服务器 DRAM 和 HBM 倾斜，压缩了其他品类供给。高盛维持三星电子和 SK 海力士的买入评级。
PC DRAM 预期上调，DDR5 折价维持 6%
TrendForce 将 3Q26 PC DRAM 价格涨幅预期从 15%至 20%上调至 18%至 23%，略高于高盛预测的 17%环比增长。
8 月现货市场数据显示，DDR4 8GB 和 DDR5 8GB 价格分别上涨 2%至 142 美元和 133 美元。DDR5 相对 DDR4 的折价维持在 6%，与 7 月持平。
高盛认为，PC DRAM 预期上调反映出下游需求仍有韧性。PC 终端市场增速温和，AI PC 对内存容量的需求正在推动结构性升级，单机搭载容量持续上升。高盛预计，这一趋势将在四季度延续。
服务器 DRAM 定价坚挺，DDR5 溢价扩大
服务器 DRAM 是三季度价格最坚挺的品类。TrendForce 维持其环比增幅预期在 13%至 18%，与高盛预测的 18%基本一致。
8 月现货市场也反映出这一走势。DDR4 64GB 模块价格持平于 1295 美元，DDR5 64GB 模块上涨 1%至 1500 美元，DDR5 相对 DDR4 的溢价由 7 月的 15%扩大至 16%。
高盛称，AI 服务器对高带宽、大容量内存的需求，持续支撑 DDR5 定价。与此同时，HBM 产能继续占用 DRAM 晶圆厂产能，服务器 DDR5 的供给紧张短期内难以缓解。
移动 DRAM 预期下调，库存压力拖累短期采购
移动 DRAM 是三季度唯一被下调预期的品类。TrendForce 将 3Q26 移动 DRAM 价格涨幅预期下调至 8%至 13%，略低于高盛预测的 14%环比增长，并预计 4Q26 将进一步放缓至 0%至 5%。
TrendForce 认为，需求走弱的原因在于客户库存水平偏高。经过前几个季度备货后，手机厂商的 DRAM 库存已经升至较高水平，短期采购动能减弱。
不过，TrendForce 对 2027 年的价格展望仍然积极，理由是供应商会继续优先将产能配置给服务器 DRAM 和 HBM，移动 DRAM 的供给增长受限。高盛也认为，移动 DRAM 的短期疲软只是节奏问题，不代表趋势逆转，2027 年价格仍将得到供给端支撑。
NAND 涨幅基本符合预期，移动端仍是主要需求来源
移动 NAND 在三季度的价格预期为环比增长 20%，与高盛预测的 15%至 20%整体 NAND 涨幅基本一致。eMMC/UFS 256GB 3Q26 合约价已上涨约 20%。
高盛表示，NAND 的供需格局与 DRAM 相似，供应商同样将产能向高附加值产品倾斜，移动 NAND 的供给增长因此受限。相比 DRAM，NAND 的需求弹性更大，消费电子市场波动会更直接影响价格走势。高盛预计，四季度 NAND 价格涨幅将有所收窄。
高盛维持三星电子与 SK 海力士买入评级
高盛认为，存储器涨价的基本面并未松动，供应商的产能配置策略仍是决定性因素。移动 DRAM 的短期库存调整只是节奏变化，不代表需求趋势反转。三星电子和 SK 海力士作为全球存储器龙头，仍是这一趋势的主要受益者。
本文内容源自潮向研究对高盛 2026 年 8 月 31 日研究报告的整理与解读，并结合公开市场信息汇总。文中涉及的评级、目标价、盈利预测及相关判断，均为该券商分析师观点，仅代表其所属机构立场，不代表潮向研究观点，也不构成投资建议。
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