韩国 DRAM 出口单价大涨 401%，HBM 挤压普通内存供应

据韩国《朝鲜日报》报道，韩国 DRAM 出口价格持续飙升，AI 驱动的 HBM 生产正在挤压普通内存供应。

数据显示，本月 1 日至 20 日，韩国 DRAM 出口单价达到每公斤 9.2183 万美元，同比上涨 401%，较 2023 年 1 月低点上涨约 12.5 倍。

高盛：供应缺口明年或扩大至 5.9%

高盛预计，DRAM 供应缺口将从今年的 5.0% 扩大至明年的 5.9%。该机构认为，AI 服务器所需的 HBM 以及大容量服务器 DRAM 正在吸收有限的生产产能，导致普通 DRAM 供应进一步收紧，供应短缺可能持续至 2028 年。

TrendForce：HBM 晶圆投入占比将升至 30%

TrendForce 预计，到明年底，三星、SK 海力士和美光用于 HBM 生产的晶圆投入量将占 DRAM 总晶圆投入的 30%，但 HBM 占实际 DRAM 比特供应量仅约 13%。

厂商警告供应紧张或延续至 2027 年后

内存厂商警告，AI 需求推动的 DRAM 和 NAND 供应紧张可能持续至 2027 年以后。SK 海力士表示，从供应端来看，2027 年可能成为内存行业历史上最严重的短缺年份。