9 月 30 日，美光再次交出一份创纪录财报。2026 财年第四季度，这家公司单季营收达到 542.3 亿美元，营业利润率达到 80.7%，营收与净利润双双刷新纪录。AI 带来的强劲需求，正把这家存储芯片公司推向历史上最赚钱的阶段。
不过，把时间线拉长，美光的成长并不平顺。在存储行业长期而残酷的价格周期里，许多曾经的巨头先后退出，美光却一次次熬过亏损和行业洗牌，最后成了美国内存行业仅存的大型玩家。
文中指出，美光逐步形成了一套很特别的生存方式：一边依托美国资本市场，通过多笔“以小搏大”的收购扩张；另一边把制造能力持续向亚洲延伸。如今，美光绝大部分产能都在亚洲，而美国政府正拿出数十亿美元补贴，希望把它的先进制造能力重新拉回美国。
这一切的起点，不在硅谷，而在有“土豆州”之称的爱达荷州。美光最早在博伊西一家牙科诊所的地下室起步，而它进入存储芯片制造业的关键资金，来自一位靠向麦当劳供应冷冻薯条发家的商人。
从 Mostek 旧部到地下室创业
虽然身处爱达荷州，但美光并非凭空冒出来的公司。它的源头可以追溯到 Mostek。这家公司成立于 1969 年，创始人出身于德州仪器。在 DRAM 还处于 4K、16K 时代时，Mostek 曾拿到过很高的市场份额，是早期 DRAM 行业的重要玩家。美光 4 位创始人中，有 3 位曾在 Mostek 工作。
1978 年，美光在博伊西一家牙医诊所的地下室成立。那时它没有制造业务，全部收入都来自为 Mostek 提供半导体设计咨询。
与后来硅谷公司常见的融资路径不同，美光起步时没有拿风险投资，而是先拿到几位本地成功商人的资金支持。文章把这种方式比作早期星巴克：几个本地商人看好创业团队，于是各自出资。
但只过了一年，打击就来了。1979 年，Mostek 被联合技术收购后，美光失去了 Mostek 的合同，唯一收入来源也随之消失。
失去客户后，美光决定自己造芯片。建厂需要更多资金，在本地投资人的介绍下，创始团队结识了 JR Simplot。1980 年，这位已经 70 多岁的“土豆大亨”参观了美光位于牙科诊所地下室的办公室后，出资 100 万美元，拿下美光 40% 股权。
JR Simplot 旗下公司是麦当劳最大的冷冻薯条供应商。文章提到，这笔 100 万美元远不足以覆盖建厂成本，但它给了美光一张“信用通行证”。在 Simplot 背书下，美光从当地银行获得贷款，并继续从其他爱达荷商人处筹资。
当时，一座 DRAM 工厂的建设成本已经达到上亿美元。为了压低成本，美光把一家超市的建筑方案改造成厂房，把原本的肉类冷藏空间扩建成洁净室，同时大量采购其他厂商淘汰的二手设备。最终，这座 5 万平方英尺的晶圆厂在 1981 年建成，成本约 700 万美元。
1981 年，美光开始生产 64K DRAM，正式从一家芯片设计公司变成半导体制造商。这个时间点也很关键。随着 IBM PC 在 1981 年进入市场，个人电脑产业随后快速崛起，DRAM 需求同步上升。美光凭借更小、更先进的 64K DRAM 设计和相对更低的制造成本，迅速切入市场。
仅仅 3 年后，也就是 1984 年 6 月 1 日，美光在纳斯达克上市。按今天的拆股口径回溯，其首日开盘价约为 1.35 美元。
美国存储行业退场潮中，美光为何活了下来
早期存储行业原本是美国公司的天下。英特尔的第一款量产产品就是存储芯片，IBM、德州仪器、AMD、摩托罗拉、国民半导体等美国半导体公司也都曾涉足这一领域。
这种格局持续到上世纪 80 年代，随后存储芯片竞争进入另一套规则。文章称，在这套规则下，国家意志成了产业竞争的重要推手。一些国家通过行政力量，从研发、资金、人才等多个维度定向扶持企业，使其在行业下行期仍能维持高强度资本开支，哪怕短期不赚钱，也要熬死对手。
从 80 年代日本企业崛起，到后来韩国企业后来居上，走的都是类似路径。结果是，日本企业挤压美国企业，韩国企业又进一步挤压日本企业。在这种竞争下，美国几乎所有半导体公司都退出了存储业务，只剩下美光。
阳光保险资产证券研究部科技组组长杨倚歌表示，存储与代工很相似，都是资本密集度很高的行业，需要大量产能制造和资本开支维持工厂运营。存储周期下行时，当期利润无法覆盖重资产折旧，许多公司会在这一阶段破产。她还提到，技术环节最核心的壁垒仍集中在美国和欧洲，部分上游材料和零部件集中在日本，中国台湾和韩国则受益于较低制造成本以及早期政府扶持。
文章给出的解释是，美光身上具备一种“美国东亚二象性”。它既有美国公司的资本和法律优势，也逐步形成了东亚式的制造布局。
“美国性”：资本运作与法律工具
美光首先是一家美国公司，这一点对理解它的生存方式很关键。文章认为，它的“美国性”首先体现在可以依托美国发达的资本市场和灵活的金融工具，在行业低谷期通过精明的资本运作低价扩张产能。
一个典型案例发生在 1998 年。那一年，美光买下德州仪器的存储业务。表面看，这是一笔价值 8 亿多美元的交易，但美光没有支付现金，而是拿出价值 8 亿多美元的定向增发股票和 9.5 亿美元公司债券。
更特别的是，德州仪器不仅没有收到现金，还向美光提供了 7.5 亿美元融资，用于把收购后的工厂改造成美光工艺。也就是说，在 1998 年这个存储行业周期低点，德州仪器急于甩掉亏损严重的存储业务，美光几乎没花现金就拿下了全部存储业务，还获得了大量专利交叉授权。
除了资本运作，美光的“美国性”还体现在法律工具的使用。文章提到，从上世纪 80 年代开始，美光多次把美国贸易和司法体系变成竞争工具。
1985 年，日本厂商在 DRAM 市场重创美国同行时，美光向美国政府提起反倾销申诉，最终推动美国对日本 DRAM 展开调查，并促成 1986 年《美日半导体贸易协定》。
90 年代面对韩国厂商崛起，美光又发起反倾销调查。2002 年，在收购海力士失败后，美光进一步推动针对韩国 DRAM 补贴的调查，最终海力士被征收高额反补贴关税。
最经典的一次则是 DRAM 价格操纵案。2002 年，美国司法部调查多家 DRAM 厂商串通涨价时，美光率先举报并申请宽大处理，成为第一家主动配合调查的涉案企业，提供了卡特尔运作的关键证据并持续配合。最终，三星、海力士、英飞凌、尔必达等同行被处以巨额罚款，而美光没有被刑事起诉，也没有缴纳罚款。
不过，资本市场和法律体系并非美光独有。文章指出，其他美国公司之所以退出，一个重要原因在于它们有更高利润的主业可退守。杨倚歌表示，IBM、德州仪器、英特尔等公司本质上都有其他业务可以发展，德州仪器可以做模拟芯片，英特尔可以做 CPU，IBM 是 ODM 电脑制造商，因此在行业出清后，它们选择出售或剥离存储业务。
美光不同。它从成立起就只专注存储，没有其他业务可退。行业越低迷，它越没有退路，也越必须熬过去。其他本土巨头的危机，反而成了它逆风翻盘的机会。
“东亚性”：华亚、尔必达与瑞晶电子并购
从 2008 年开始，美光完成了几笔极具代表性的交易，直接参与塑造了今天存储三巨头的格局。也是在这一阶段，它在保持美国公司身份的同时，产能端逐渐东亚化。
第一笔关键交易围绕奇梦达和华亚科技展开。奇梦达由德国英飞凌拆分而来，专注存储业务。2008 年金融危机后，存储价格暴跌，奇梦达现金流极度紧张。与此同时，华亚科技这家由台湾南亚科技和英飞凌联合成立、专注 DRAM 制造的企业，其股权在奇梦达拆分后也转移给了奇梦达。2008 年，奇梦达持有约 35% 的华亚科技股权。
这一次，美光没有采用换股，而是以约 4 亿美元现金收购奇梦达持有的全部华亚科技股权。但这 4 亿美元中，华亚科技自己拿出 8500 万美元借给美光，南亚科技母公司南亚塑胶借给美光 2 亿美元，美光真正自有现金仅约 1.13 亿美元。
也就是说，美光只用了约 1.13 亿美元自有现金，就拿到华亚科技约 35% 股权、约 50% 产能分配权，以及向华亚科技导入美光工艺的权利。
一年后的 2009 年 8 月，华亚科技增发约 3.1 亿美元股票，用于把工厂转换到美光工艺。此时股价回升，美光确认了数千万美元会计收益。
2015 年 12 月，美光又以约 41 亿美元收购剩余华亚科技股份。这 41 亿美元中，约 25 亿美元来自本地银行团贷款，抵押物包括华亚科技厂房、土地和部分设备，约 10 亿美元则是向卖方南亚科技定向增发的股票。算下来，美光只动用了 6 亿美元账上现金，就完成了剩余股份收购。收购后，华亚科技改名为“美光晶圆科技台湾”（Micron Technology Taiwan，MTTW）。
接下来是 2012 年的尔必达。那一年，日本“存储国家队”尔必达申请破产保护，成为日本历史上最大的制造业破产案。美光随后以 2000 亿日元、按当时汇率约 25 亿美元的价格，获得尔必达 100% 股权。
但在交易达成时，美光只拿出 600 亿日元现金，约合 7.5 亿美元。剩余 1400 亿日元、约合 17.5 亿美元，被安排在交易完成后的 6 年分批支付：2014 年到 2017 年每年支付 200 亿日元，2018 年到 2019 年每年支付 300 亿日元。
这笔延期付款还有更复杂的安排。尔必达成为美光全资子公司后继续生产 DRAM，美光向尔必达支付晶圆制造费、研发服务费和管理服务费。这些费用以美元计价，尔必达再用继续生产产生的现金流、以日元计价支付给债权人。
文章还提到汇率因素。交易在 2012 年 7 月达成，到 2013 年 8 月交割完成期间，日元兑美元汇率从约 80 比 1 跌到约 98 比 1。结果是，真正到交割日时，美光支付的 600 亿日元现金，从约 7.5 亿美元降到约 6.15 亿美元。后续 6 年中，日元兑美元继续下跌，最终实际付出远低于名义上的 25 亿美元。
更重要的是，收购尔必达还让美光拿下了瑞晶电子。尔必达破产时持有台湾瑞晶电子约 65% 股权，瑞晶电子是尔必达和力晶科技合资成立的 DRAM 生产企业，也是尔必达的重要产能基地。
美光收购尔必达后，继承了这约 65% 股权，同时又与力晶及其关联方单独签署协议，以约 100 亿新台币、约合 3.34 亿美元现金收购瑞晶电子 24% 股权。2013 年交易完成后，美光持有瑞晶电子约 89% 股权。到 2014 年，美光再以约 1.46 亿美元从金士顿手中买下 9.9% 瑞晶电子股份，持股比例升至超过 99%。瑞晶电子后来成为现在的美光内存台湾（Micron Memory Taiwan，MMT）。
杨倚歌表示，尔必达破产时债务压力很大，长期面临良率较低、产能爬坡缓慢的问题，又遭遇行业周期影响。对日本政府和债权银行而言，只有大公司作为买家，才具备相应运营能力，并能承担大部分员工与债务。对美光来说，这笔收购带来了更多技术、产能和员工，相当于在行业低位，以很便宜的价格买入未来行业可能形成寡头格局后的看涨期权。
文章认为，对尔必达和瑞晶电子的收购，是美光历史上最重要的收购，也是其今天成为巨头的基石。拿下尔必达广岛 DRAM 晶圆厂、秋田封装测试厂以及瑞晶科技台中 DRAM 晶圆厂后，美光总产能从世界第四升至仅次于三星的世界第二。
战略层面上，美光此前更强的是 PC 和服务器 DRAM，而尔必达在手机、平板和低功耗 DRAM 领域优势明显。这笔收购补齐了美光移动产品线，也让它后来成为苹果的 DRAM 供应商。
文章也提到，美光并非没有失手。它曾差一点收购海力士，但因报价条件过于苛刻，虽然债权银行同意，却遭海力士董事会一致否决。海力士在拒绝收购后又熬了 10 年，最终等来 SK 集团收购，并在之后押注 HBM，成为 AI 时代的大赢家。
产能版图：政治上的美国公司，运营上的东亚公司
完成这些收购后，已经很难只把美光看作一家传统美国公司。文章指出，从最核心的晶圆制造角度看，美光几乎可以被视作一家东亚公司。
截至目前，美光在美国本土仅有弗吉尼亚马纳萨斯一座工厂，产量仅占全球存储供应约 2%。其他绝大部分产能位于亚洲。其中，先进 DRAM 与 HBM 的核心制造和配套基地，集中在桃园、台中、苗栗铜锣和台南四座城市。
桃园是美光最早的 DRAM 基地之一，核心是 Fab 11。新建的 Fab 11E 将引入 EUV，计划于 2028 年投产。
台中规模最大，既承担先进 DRAM 晶圆制造，也是 HBM 封装测试重镇。目前当地已有两座先进封装厂，第二座于 2026 年 10 月启用。
苗栗铜锣是最新扩张的 DRAM 基地。2026 年，美光以 18 亿美元买下力积电 P5 厂，并在建设第二座晶圆厂。
台南则是晶圆测试基地，由收购友达旧厂房改造而来，专门为桃园、台中的 DRAM 扩产提供配套，首批设备已于 2026 年 9 月进驻。
日本方面，以广岛 Fab 15 为核心，承担先进 DRAM 晶圆制造。这座工厂来自美光 2013 年收购的尔必达，目前正在升级，以支持未来 DRAM 节点和 AI 内存生产。
新加坡则是美光最重要的 NAND 制造基地，目前约 98% 的 NAND 产能都来自这里。随着 AI 时代存储需求激增，美光正在新加坡双线扩产：一座约 240 亿美元的新 NAND 晶圆厂已于 2026 年初动工，计划 2028 年下半年投产；同时，一座约 70 亿美元的 HBM 先进封装厂也在建设中，预计 2027 年起贡献 HBM 产能。
杨倚歌将美光概括为“政治上的美国公司，运营上的东亚公司”。她表示，从运营角度看，无论哪家公司，在美国建厂都没有太大优势。她以台积电赴美建厂为例称，其毛利率会受到 2 到 3 个百分点稀释，美国工厂的产能爬坡和员工加班意愿等问题，对台积电是挑战，对美光也一样，只是美光同时还是政治上的美国公司。
这也解释了一个问题：在美国制造业问题重重、半导体制造又极度依赖效率和高素质工程师的情况下，美光为何能把制造做好。文章给出的答案很直接，因为它的主要产能本来就不在美国。
业务现状：规模最小，却是近几个季度跑得最快的一家
如果只看公司规模，全球真正称得上内存巨头的只有三家：三星、SK 海力士和美光。按营收规模和产能体量看，美光是三家中最小的一家。
以 2026 年二季度财务数据为例，SK 海力士营收约合 550 亿美元，美光同期营收约 414.6 亿美元，三星半导体业务营收约 877 亿美元。
产能差距更明显。根据 SemiAnalysis 估算，到 2026 年底，三星 DRAM 月产能约 72 万片，海力士约 59.5 万片，美光约 38.5 万片。在最关键的 HBM 上，截至 2025 年底，海力士和三星月产能都在 16 万到 17 万片上下，美光只有约 6 万片，大约是前两者的三分之一。
但如果看最近几个季度的增长速度，美光却是三家中跑得最快、盈利能力提升最明显的一家。最新一个季度财报显示，美光营收已达到 542 亿美元，在高基数上又增长 31%。2026 年全财年营收 1332 亿美元，同比增长 256%。营业利润率也从 2025 年初约 25% 升至 80% 以上，并在 2026 年二季度反超海力士，成为三家第一。
文章认为，这与其业务结构有关。三星业务更复杂，包含代工和芯片设计等利润率偏低的业务。相比之下，美光和海力士都主要由 DRAM 和 NAND 两大板块构成，结构高度相似，都是 DRAM 占接近八成，NAND 约占两成。
在 DRAM 内部，又分为传统 DRAM 和 HBM 两条线。传统 DRAM 包括服务器用 DDR5、手机和平板用 LPDDR 等通用内存；另一条则是 HBM，而这正是两家公司差异最大的地方。
海力士很早就押注 HBM。2013 年，它与 AMD 共同推出 HBM1，之后持续推进，把越来越多 DRAM 产能转去生产 HBM。到现在，海力士大约有三成 DRAM 产能用于 HBM，到 2027 年这一比例预计接近四成。也正因如此，它在全球 HBM 市场拿走约六成份额。
相比之下，美光起步较晚，直到 2020 年才推出首款 HBM 产品，而那时海力士和三星早已交付过 HBM、HBM2 两代产品。如今，HBM 约占美光 DRAM 收入的两成，而海力士的 HBM 几乎占其 DRAM 收入半壁江山。
这一轮周期里，传统 DRAM 反而涨得更猛
文章指出，这一轮周期里最关键、也最反直觉的变化是，涨价最凶的并不是 HBM，而是传统 DRAM。
原因在于，三巨头都在把产能转向利润更高的 HBM，结果服务器、PC、手机所需的通用内存供给被抽走一大块，全面陷入短缺，价格快速上升。数据显示，2026 年一季度，传统 DRAM 合约价环比上涨 90% 以上，二季度还在继续上涨。
反过来看 HBM，由于几家龙头大多与大客户签了早期锁价的长期协议，价格反而被提前锁住。杨倚歌表示，HBM 合约与传统 DRAM、NAND 合约不同。传统 DRAM 和 NAND 也有长期协议，但通常按季度或半年议价，价格更接近随行就市，只锁量不锁价，也没有赔付款。HBM 从一开始就是为 AI 服务，多数是一年谈一次价，通常在每年年底前后确定。
这意味着，今年的 HBM 价格在去年年底就已经定下来，而当时整个存储市场还没有开始大涨。
于是出现了一个局面：海力士 HBM 卖得最多，但价格被长约锁死；当它把产能更多倾斜给 HBM，留给传统 DRAM 的产能也被压缩。美光则相反。过去，HBM 占比低是它的短板；但在这一轮里，通用 DRAM 涨得比 HBM 更猛，美光更大的传统 DRAM 敞口，反而让它更充分地吃到了涨价红利。
目前，美光业务收入被划分为四块：云内存、核心数据中心、移动与客户端、汽车与嵌入式。最新一个季度，这四块业务收入分别为 162.8 亿美元、180 亿美元、131.1 亿美元和 68.2 亿美元。虽然数据中心相关两块仍是大头，但移动、客户端、汽车和嵌入式合计仍贡献约 37% 收入。
文章特别提到，汽车和工业市场是美光的重要基本盘。这里有长期客户和认证壁垒，增长速度可能不如 HBM，但胜在稳定、认证门槛高、客户黏性强。
纽约 Amont Partners 管理合伙人 Rob Li 表示，海力士发布季报后，市场认为其营业利润低于预期，股价当天跌了十多个点，一个核心原因就在于 HBM 在其业务中的占比最高。过去这是优势，但从去年第四季度到今年上半年，普通内存价格也涨得很厉害，而 HBM 消耗更多晶圆、成本更高，因此这一阶段毛利率反而不及普通内存。换句话说，在相同产能条件下，分配给 HBM 的资源越多，对公司整体毛利率形成的反而是拖累。
不过，文章也强调，当前传统内存毛利率更高只是阶段性现象，HBM 仍然是未来竞争的关键。
竞争焦点转向 HBM，美光的追赶路径
HBM 正在成为存储行业穿越周期的关键变量。过去，DRAM 和 NAND 高度标准化，存储芯片更像大宗商品，价格和利润随供需周期剧烈波动，厂商很难维持稳定盈利。
HBM 不同。它需要与特定客户的特定芯片深度协同设计，要通过定制认证，每家的堆叠和 base die 方案也不相同，更接近非标准化的定制产品。因此，它技术门槛更高，客户验证周期也更长。
随着 AI 算力需求持续增长，HBM 不仅带来更高单价和利润率，也让存储厂商获得更强的订单确定性和议价能力。文章称，市场今天谈“存储价值重估”，关注点并不只是最近存储芯片涨价，更在于 HBM 正在改变这个高度周期性行业的盈利模式，让周期变弱、更平滑。
杨倚歌表示，如果仍按过去随行就市的方式、每季度依据合约价议价，那么传统 DRAM 和 NAND 占比越高，周期风险反而越大。只有 HBM 这类有长期协议、有需求景气度的产品占比提高时，抗周期性和盈利稳定性才会增强。
美光也很清楚，自己不能在 HBM 上掉队。实际上，它很早就意识到堆叠内存的重要性，只是早年押错了标准。
2011 年，美光曾联合三星、IBM 等推出 HMC（Hybrid Memory Cube，混合内存立方体）技术，时间点甚至早于海力士押注 HBM。HMC 的思路是把多层 DRAM 裸片和独立逻辑控制芯片混合堆叠在一起，直接把内存控制器安装在内存堆栈内部，并依靠 TSV 硅通孔技术垂直堆叠多层芯片。
HMC 在技术上有不少亮点，也一度用于超级计算机、网络处理器等场景。但与 HBM 相比，在传输相同数据量时功耗更高，也难以适配本身就高功耗的 GPU，因此没有被英伟达和 AMD 采用。
2017 年 5 月，前闪迪联合创始人 Sanjay Mehrotra 出任美光 CEO。他上任后决定不再推进 HMC，转向已经成为行业标准的 HBM。文章认为，这是美光近年来最重要的一次路线纠偏。
但那时，美光已经在 HBM 上落后两代。即便 2020 年推出首款 HBM 产品后，研发速度也一直不算快。2022 年 6 月，海力士已率先量产 HBM3，成为全球首家把 HBM3 送进英伟达 H100 供应链的厂商，而美光迟迟没有明显动作。
真正让美光扳回一局的，是它选择直接跳过一整代 HBM3，把资源押在下一代 HBM3E 上。这个决定后来被证明押对了。
2024 年 2 月，美光宣布量产 24GB HBM3E，并进入英伟达 H200 供应链，当年二季度就随 H200 一起出货。此后，美光又推出容量更高的 12-Hi HBM3E，并继续推进到下一代 HBM4。
到 HBM4 这一代，美光甚至打出一场漂亮翻身仗。2026 年一季度，它比原定计划提前一个季度开始量产 36GB、12 层堆叠的 HBM4，带宽超过每秒 2.8TB，引脚速率超过 11Gbps，功耗比上一代降低两成多。
同年 6 月，英伟达 CEO 黄仁勋公开确认，海力士、三星、美光三家都已通过 HBM4 认证并进入量产，共同为下一代 Vera Rubin 平台供货。这也是 HBM 历史上第一次，新一代产品一开始就集齐三大供应商。到这一步，美光终于摆脱“迟到者”标签，在产品规格上重新站到与三星、SK 海力士同代竞争的位置。
不过，能造和能造多少仍是两回事。根据供应链分析师估算，这一代 Vera Rubin 的订单分配中，海力士拿走六到七成，三星占两到三成，留给美光的只是一小部分。从收入份额看，美光在 HBM 市场约占 20%，与海力士仍有明显差距。
Rob Li 表示，在目前阶段，几家厂商的单 Pin 传输速率都符合规格。从美光自身看，它并没有特别强的动力，因为它的产能是三家中最少的。美光多次表示，只要 HBM 市场占有率能够与自身 DRAM 产能占比维持一致，就可以接受。从英伟达作为客户的角度看，三家供应商都会使用，最需要的是它们保证供应量。
文章认为，对美光来说，未来要跨越的重点除了技术追赶，更在于份额。海力士凭借先发优势和数倍产能优势，仍牢牢占据 HBM 头把交椅。下一代 HBM4E，正成为三巨头新的战场。
美光计划在 HBM4E 上首次把最先进的 EUV 光刻技术引入量产工艺。但杨倚歌认为，转向 EUV 并不意味着美光就获得了弯道超车机会。她表示，当制程压力越来越大时，很难不使用 EUV。存储是以技术为基础、靠产能规模取胜的行业。大家都采用 EUV 后，只能说技术代际被拉平。对于 HBM，还要看封装能力，也就是如何堆得更稳定、更好。目前她认为海力士更强一些，三星和美光差距不大。
美国开始把美光“拉回去”
文章指出，如果把美光 HBM 加速追赶的时间点放到更大背景下看，会发现它恰好发生在美国重振芯片和制造业的阶段。这也让美光的身份发生变化。
过去，美光只是美国一家普通芯片公司。到了 AI 时代，HBM 成为决定 AI 芯片性能最关键的基础设施之一，而在全球能够大规模生产先进 HBM 的厂商中，美光是唯一一家美国公司。这意味着，如果美国想掌握从 GPU、先进封装到 HBM 的完整 AI 供应链，就不能只依赖英伟达、AMD 这些芯片设计公司，也必须保住美光。
2022 年，美国通过《芯片与科学法案》，把先进半导体制造放到国家产业政策核心位置。作为美国本土唯一内存龙头，美光成为最核心的补贴对象之一。美国政府给出的条件包括直接补贴、贷款、税收优惠，以及州政府提供的土地和基础设施支持。
美光的回应是大规模美国建厂计划。根据美光官网数据，公司计划到 2035 年在美国总计投入超过 2500 亿美元。
这些投资主要落在三个地方。
- 第一站是爱达荷州博伊西。2022 年，美光宣布投资约 250 亿美元，在总部旁建设一座先进 DRAM 晶圆厂，这是美国数十年来新建的第一座先进内存工厂。2025 年，美光又宣布将再建第二座工厂。两座工厂将与原有爱达荷研发中心直接配套，未来承担包括 HBM 在内的先进产品研发和制造。
- 第二站是纽约州克莱。美光计划在未来 20 多年里，逐步建设一个最多由 4 座先进 DRAM Fab 组成的超级工厂园区，总投资最高达到 1000 亿美元。目前，纽约第一座 Fab 已在 2026 年破土动工。
- 此外，弗吉尼亚马纳萨斯老厂也被纳入扩建和升级计划。它不追求最先进制程，而是主要把成熟的 1α DRAM 搬回美国，专供汽车、国防、工业等长周期市场。
如果把这些项目放在一起看，美光想做的是把最先进的 DRAM 制造能力重新放回美国：以博伊西为研发和先进 DRAM 制造核心，承接最前沿制程和 HBM 相关能力；以纽约克莱为未来最大的先进 DRAM 产能基地；再以弗吉尼亚马纳萨斯承接成熟制程，服务汽车、工业和国防等市场。
美光表示，计划把大约 40% 的 DRAM 产能放在美国。相应地，美国在全球先进存储制造中的份额，将从今天不到 2% 提升到约 10%。
但文章也强调，这仍是一场以 10 年为单位的马拉松。推进最快的博伊西一期，也要到 2027 年前后才投产；规模最大的纽约克莱工厂集群，则排到 2030 年代乃至更晚。
现实阻力已经出现。纽约园区因劳动力短缺、建设周期漫长，进度一再承压。美光不得不在不同州之间调配资金，优先保住能更快出货的项目。
Rob Li 也提醒，美光 CEO 提到未来希望把 40% 产能放在美国，但并没有给出明确时间线，没有说是明年、3 年后、10 年后还是 20 年后，因此解释空间很大。他表示，从目前看到的信息看，美光在美国扩产要到 2030 年前后，之后再过 10 年或许还能继续扩张，但实际能够落地的规模仍比较有限。
从供应商到战略资产
文章最后提到，苹果与美光之间不久前发生了一场火药味很浓的“对战”。随着存储芯片价格大涨，苹果不得不上调部分产品售价，并把成本压力直接归咎于美光。为了寻找更便宜的供应，苹果向美国政府寻求支持，希望扩大中国存储芯片供应。
美光不仅公开回击苹果，还反过来向美国政府施压，试图阻止这一计划。文章认为，这场冲突的关键不只是苹果和美光谁输谁赢，而是美光的位置已经彻底变了。
过去，苹果这样的下游巨头通常拥有更强议价能力，供应商需要围着苹果转，想办法降成本、保供应。到了 AI 时代，当存储成为 AI 算力最稀缺的资源之一，美光开始拥有更强的话语权。
从爱达荷州牙科诊所地下室起步，到成为全球仅有的三大 DRAM 巨头之一；从在日本、韩国主导的产业竞争中艰难求生，到借助资本市场和贸易规则一次次活下来；再到今天美国政府愿意拿出数十亿美元，也要把它的先进制造能力拉回美国。文章认为，美光已经从一家普通美国存储公司，变成连接美国资本、亚洲制造和全球 AI 产业链的关键节点。
而这，正是它押注存储近 50 年、熬过一轮又一轮周期之后，等来的回报。