南亚科于12日召开法说会，公布2026年第三季自行结算合并财务报告。受国际存储器大厂产能排挤效应，以及 DDR4 供不应求带动价格大幅上升影响，公司第三季合并营收达到新台币1336亿4900万元。
单季营业毛利率升至85.7%，税后净利为新台币876亿2700万元，单季每股盈余（EPS）达25.40元，均创下历史新高。公司也表示，AI基础设施相关营收占比已正式突破20%，并启动大规模资本支出规划。
第三季营收与获利同步刷新纪录
南亚科第三季合并营收为新台币1336亿4900万元，较上一季增加61.9%。公司指出，主要受惠于 DRAM 平均售价（ASP）显著上涨，带动获利能力提升。
第三季营业毛利为新台币1144亿8200万元，毛利率为85.7%；营业净利达新台币1068亿9400万元，营业净利率为80.0%。本期税后净利为新台币876亿2700万元，单季每股盈余为25.40元。
累计前三季，南亚科税后净利达到新台币1638亿7700万元，每股盈余为49.28元。
AI基础设施营收占比突破20%
南亚科表示，面对市场结构变化，公司正调整产品组合，以对应人工智能相关需求。目前，公司在服务器、网络、存储及系统管理等 AI 基础设施领域的营收占比，已正式突破20%。
公司并持续协助客户开发定制化 AI 产品，以及 Wafer-on-Wafer（晶圆对晶圆）产品。
为因应长期市场需求，南亚科公告2026年全年资本支出上限为新台币697亿元。针对5A新厂第一阶段，公司规划月产能为3万9000片，2026年至2029年的总资本支出预计达到新台币3466亿元，新厂预计于2027年第一季开始装机。
推进先进制程与屏东封测布局
在技术研发与产能布局方面，南亚科持续推进各世代制程与先进封装测试技术。第三代10纳米级制程（1C）预计于2027年第一季展开客户验证，第四代（1D）、第五代（1E）制程，以及极紫外光（EUV，Extreme Ultraviolet）微影技术的开发工作也按计划进行。
公司还规划在屏东科学园区建设3D晶圆封装与测试厂，预计在2028年底前导入硅通孔（TSV）与晶圆堆叠等3D集成电路（3D IC）先进技术。
产品线方面，南亚科持续覆盖 DDR5、LPDDR5/5X 等规格。
