三星电子计划明年将 HBM4 系列产量较今年至少翻倍

据《首尔经济》报道，三星电子计划明年将第六代高带宽存储器 HBM4 与第七代 HBM4E 等 HBM4 系列产量较今年至少扩大一倍以上。

报道提到，三星电子拟将 HBM 用 DRAM 薄化加工所需玻璃载体的外协清洗量，由今年每月 2 万片提升至明年每月 5 万片，较今年增加 2.5 倍。去年该载体月需求约 1 万片，今年已较去年翻倍。

三星电子此次重点扩产的产品，主要是 12 层及以上高堆叠的 HBM4 与 HBM4E。

时间线上，三星电子今年 2 月开始量产出货 HBM4，该产品采用第六代 10 纳米级（1c）DRAM 与 4 纳米工艺基底芯片。到 5 月，公司已向英伟达等客户提供 HBM4E 12 层样品。

业界预计，按月均晶圆投入计算，三星电子 HBM 产能将由今年约 18 万片增至明年约 25 万片，增幅接近 40%；HBM4 系列出货占比也可能由今年约 40% 升至明年约 80%。