三星推进混合键合产线，目标瞄准英伟达 Feynman 定制 HBM

7 月 21 日，三星电子已在平泽 P5 工厂开始建设 Die-to-Wafer（晶粒到晶圆，D2W）混合键合量产线，目标指向下一代 HBM 与逻辑半导体的先进封装。

在设备端，三星的核心供应商首选荷兰 Besi，计划采购约 50 台混合键合机。单台设备价格约 60 亿韩元，约合 430 万美元，价格是竞品的两倍。

设备采购谈判推进缓慢

不过，三星与 Besi 的谈判进展较慢。原因在于，三星要求对设备架构进行定制修改，而 Besi 同时也向台积电与美光供货，因此对单独为三星调整设备保持谨慎态度。

三星同时评估韩国本土替代方案

除 Besi 外，三星也在同步考虑韩国本土供应链方案。

• 子公司 SEMES 已完成 D2W 混合键合机开发，并在今年早些时候送样验证。
• 韩华 Semitech 于 2 月完成第二代 "SHB2 Nano" 开发，并在 4 月向 SK 海力士送样。

韩华 Semitech 的方案将 EFEM、等离子激活与清洗模块集成到集群系统中，形成差异化竞争力。

混合键合瞄准定制 HBM 封装

这项技术以混合铜键合替代传统热压键合，可直接键合铜与介质材料，并缩短互连长度。其核心应用场景是定制 HBM：将 HBM DRAM 层直接垂直堆叠在包含客户计算电路和 IP 的逻辑 die 上，形成 3D 系统级封装。

Jukan：预计用于英伟达下一代 Feynman

Citrini 分析师 Jukan 表示，混合键合预计将用于英伟达下一代 AI 加速器 Feynman，该芯片将采用定制 HBM。不过，技术落地时间“已从 HBM4E 向后推迟”。

三星内部预计，这项技术要到 2029 至 2030 年左右才能实现规模化应用，这一时间点与英伟达 Feynman 的预期窗口重合。