SK海力士拟将HBM4E基底芯片部分交英特尔代工，减少对台积电依赖

HBM4E 或引入英特尔代工

Citrini 分析师 Jukan 披露，SK 海力士正着手推动高带宽存储器（HBM）所用基底芯片的代工厂供应商多元化。该公司正在评估，是否把第七代 HBM（HBM4E）的部分基底芯片生产外包给英特尔代工厂。

HBM 由垂直堆叠多个存储芯片构成，基底芯片是其中的关键一环。到目前为止，SK 海力士的外包基底芯片生产完全依赖台积电一家。此举被视为建立多供应商代工策略的努力，既是为了降低供应链对台积电的集中度，也是为了增强 SK 海力士在定价方面的议价能力。

LTA 覆盖下成本压力难转嫁

据行业消息人士 8 月 31 日的说法，SK 海力士正在推进一项计划：HBM4E 的基底芯片可能由台积电和英特尔共同制造，最早会从 HBM4E 世代开始。

市场预计 HBM4E 的基底芯片成本负担会继续增加。HBM 产品主要受长期供应协议（LTA）覆盖，SK 海力士难以立即通过提高产品价格，将更高的代工成本转嫁给客户。在行业观察人士看来，如果英特尔最终加入 SK 海力士的基底芯片供应链，后者将在成本竞争力和供应稳定性方面获得更多选择。