英伟达对 HBM 的态度出现了明显变化。根据文中披露，8 月 7 日，英伟达大幅削减下一代旗舰 GPU Rubin Ultra 的显存配置，主流型号的 HBM 方案从原定的 12-Hi 约 384GB，下调至 8-Hi 192GB，单卡显存几乎减半。GPU 芯粒也从 4-die 缩减为 2-die，功耗从 2300W 降到 1800W。
文中称，过去几个星期，英伟达内部至少测试了 3 个低显存版本。消息传出后，SK 海力士美股 ADR 当天跌 4.97%，其韩股次日跌超 10%。
这次调整发生前，HBM 一直被视为黄仁勋最头疼的问题。文中提到，为了确保 HBM 供应，黄仁勋今年 6 月曾带队跑遍亚洲。但进入 8 月，英伟达转而压缩下一代产品的显存配置，这一变化直接打击了市场对 HBM 持续高增长的预期。
全球内存股正在上演同一套剧本
文章把闪迪最新财报视作观察内存周期位置的一面镜子。就在英伟达消息传出的前两天，闪迪公布了 2026 财年第四季度业绩：营收 89.7 亿美元，同比增 372%，环比增 51%，高于市场预期约 7%；非 GAAP 每股收益 39.25 美元，高于分析师预期 14%。
闪迪该季度净利润为 69 亿美元，全年净利润 114 亿美元，同比增幅达到 797%。公司还宣布 140 亿美元股票回购计划，毛利率维持在 83% 至 85% 的历史高位。
但股价没有跟随业绩走强。文中称，闪迪盘后股价一度跌超 8%，最终收跌约 5%；在财报发布前的 7 月，闪迪股价单月已跌约 40%，较 6 月历史高点最大回撤超过 55%。
关键不在于利润高低，而在于增长速度。闪迪在财报电话会上给出 2027 财年第一季度营收指引，预计为 103 亿至 108 亿美元，中值约 105.5 亿美元，低于市场预期的 108 亿至 111.6 亿美元区间。按中值计算，Q1 环比增速约 17.6%，相比 Q4 的 51% 明显放缓。
更重要的是，闪迪披露 Q4 营收环比增长中，大约三分之二来自价格上涨，只有三分之一来自出货量增加。文章据此判断，一旦价格涨势放缓，收入增速会更快回落。
类似情况也出现在 SK 海力士和三星电子身上。7 月 29 日，SK 海力士发布 2026 年二季度财报，营收 79.32 万亿韩元，同比增长 257%；营业利润 60.54 万亿韩元，同比增 557%；营业利润率 76.3%，毛利率 83%。文中称，这组数据刷新了存储行业历史纪录，且 SK 海力士单季营业利润已经超过其 2025 年全年 47.2 万亿韩元的利润总和。
但财报公布当天，海力士股价一度跌逾 19%，创历史最大单日跌幅，本周累计下跌 25%，市值蒸发约 308 万亿韩元，约合人民币 1.45 万亿元。文中给出的原因是“低于预期”：市场此前预测海力士 Q2 营收为 85 万亿韩元，实际只有 79.3 万亿韩元，差距约 5.7 万亿韩元，涉及 HBM4 出货延迟、产品组合偏弱、高端产品占比不及预期等因素。
三星电子也出现了同样的情况。文中称，三星 7 月底披露的二季度财报显示，营业利润 89.5 万亿韩元，同比增长 1814%；净利润 71.6 万亿韩元，同比增长 1299%。尽管数字同样处于历史高位，但财报发布后股价继续下跌，7 月单月累计跌幅约 17%，市值蒸发约 244.8 万亿韩元。按文中说法，从 6 月高点计算，三星和海力士合计市值蒸发已超过 4 万亿元人民币。
“指引悬崖”成为 NAND 与 HBM 的压力点
文章认为，周期股顶部往往不是利润最高的时候，而是增速开始放缓的时点。闪迪的 Q1 指引，被视作 NAND 价格周期见顶的明确信号之一：Q4 环比增长 51%，到 Q1 只剩约 17%，而且前一季度增量主要靠涨价驱动。
TrendForce 预测，2026 年第三季度 DRAM 合约价格仍将环比上涨 13% 至 18%，NAND 闪存合约价格环比上涨 10% 至 15%，但 NAND 的涨幅已明显低于此前 21% 的乐观预期。TrendForce 还表示，2027 年下半年 NAND Flash 供给将趋于宽松，价格可能面临修正压力。DRAM 由于 HBM 持续挤压产能、AI 服务器需求强劲，情况略好，但文中同时提到，TrendForce 也认为这种状态不会长期无上限延续。
Rubin Ultra 方案调整冲击 HBM 预期
如果说闪迪指引反映的是 NAND 周期变化，那么 Rubin Ultra 削减内存配置，对 HBM 市场的冲击更直接。TrendForce 随后发文称，英伟达正在并行评估 HBM4e 8hi、HBM4 12hi、HBM4 8hi 等多种方案，最终规格要到 2026 年下半年验证后才会定案。
HBM 是存储芯片里单价和利润都最高的品类，也是韩厂这一轮利润增长的核心引擎。文中称，SK 海力士目前在 HBM 市场占据约 70% 份额，三星约 20%。此前市场给海力士高估值的重要逻辑之一，就是 AI 芯片的 HBM 容量一代比一代大，单卡价值量持续上升。
根据 SemiAnalysis 的测算，在 HBM 持续涨价推动下，Rubin Ultra 机柜的 BOM 成本原本已从 660 万美元升至 800 万美元，其中仅 HBM 一项就占到约 28%。404K Research 测算称，Rubin Ultra 占 2027 年全球 HBM 需求约 20%，如果显存从 384GB 降至 192GB，相当于全球 HBM 少卖出约 10%。
文章还指出，原本 Rubin Ultra 规划的是 12 层堆叠的 HBM4e，如今主流版本降到 8 层的 HBM4。HBM4e 单颗价格比 HBM4 高 20% 至 30%，12 层堆叠又比 8 层多 50% 的芯片数量。SemiAnalysis 因此表示，单颗 GPU 对应的 HBM 价值量下降幅度将远超 50%，单机柜 HBM 支出从 224 万美元缩水到约 90 万美元。
文中称，HBM4e 是 SK 海力士利润率最高的产品线之一，因为其 HBM4e 12 层堆叠良率低、竞争对手少，溢价能力很强。如果英伟达主力型号更多转向 HBM4 8-Hi，不仅单价下降，三星和美光的竞争力也会相对抬升。
文章还提到，7 月 10 日 SK 海力士在纳斯达克上市当天，CEO 郭鲁正接受采访时表示，2027 年将是存储行业史上最严重的供应短缺期，供不应求局面会持续到 2030 年之后，客户需求远超产能。市场此前也默认 HBM 价格会一路走高，而 Rubin Ultra 的调整让这一预期开始降温。
国产替代推进，长鑫所处位置仍有边界
在全球内存股普跌的讨论中，国产替代是无法绕开的变量。文中称，7 月份 SK 海力士和三星开始大跌时，市场就已出现国产存储可能打破韩厂主导格局的传闻。
长鑫科技于 7 月 27 日在科创板上市，首日涨幅 465.82%，不到 24 个小时市值突破 3.28 万亿元。根据 Counterpoint Research 的数据，长鑫科技在全球 DRAM 市场的份额从 2025 年一季度的 3% 增长到 2026 年一季度的 8%，目前位列全球第四大 DRAM 供应商。
文章认为，这足以说明国产存储已经完成从 0 到 1 的突破，但距离挑战三巨头仍有距离。技术层面，长鑫已实现 DDR5 和 LPDDR5 的规模化量产，自研 4F 工艺突破 17 纳米制程，且未使用 EUV 光刻机。文中将这一水平描述为大致相当于韩厂 2 年前的水平，在主流消费级和服务器市场具备竞争力，但在 HBM 领域仍有明显差距。
HBM 对制程和封装要求更高，文中称长鑫目前还没有大规模量产 HBM 的能力。产能方面，长鑫扩张较快，到 2026 年末，月度晶圆投片产能预计将突破 30 万片。根据新华网 7 月中旬报道，长鑫和长江存储都在建设新厂，预计 2027 年以后整体产能将达到现有水平的两倍以上。
目前，长鑫在合肥、北京共有 3 座 12 英寸晶圆厂，月产能约 28 万至 30 万片，2026 年底预计达到 30 万至 35 万片。文章还提到，苹果为了压低下一代 iPhone 制造成本，正主动与长鑫洽谈移动 DRAM，主要是 LPDDR5X 的采购合作，希望借新供应商向三星和 SK 海力士施压。
不过文中称，长鑫拒绝了降价要求，明确表示同规格 DRAM 报价不会低于三星和 SK 海力士，部分高端型号甚至更高。其大部分产能已被国内硬件大厂锁定，腾讯、字节等云厂商也在抢货，长鑫月产 30 万片的产能基本处于满载状态。
本文源自 MarsBit 转引微信公众号“字母AI”，作者为苗正。