日股

长鑫科技
2026-07-28 05:45:08

长鑫科技总部走访:基层员工难触及股权红利,园区扩张带动长岗片区升温

时代周报记者7月27日走访长鑫科技合肥总部发现,公司上市首日股价大涨后,基层员工普遍仍处于“旁观”状态,股权激励设有明确职级门槛,普通员工多未覆盖。与此同时,园区安保和信息管控严格,研发及晶圆车间员工上班需统一存放手机。随着厂区持续扩张,三期项目推进、周边配套企业聚集,长岗片区商业、人流和房价也被明显带动。

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长鑫科技总部走访:基层员工难触及股权红利,园区扩张带动长岗片区升温
长鑫存储
2026-07-28 03:58:04

长鑫存储上市首日暴涨,台股存储股早盘集体跌停

中国存储厂长鑫存储 27 日在上交所挂牌,首日股价涨幅达到 465% 至 466%,募资约 86 亿美元。市场担心中国 DRAM 产能扩张将改写全球供需结构,台股存储板块早盘承压,南亚科、华邦电、旺宏同步跌停。报道同时提到,长鑫存储扩产到实际量产通常仍需一至两年以上,影响是否在 2027 年后显现,市场仍在观察。

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长鑫存储上市首日暴涨,台股存储股早盘集体跌停
长鑫存储
2026-07-28 04:39:56

高盛称内存行业遇新压力:长鑫存储 DRAM 产能到 2030 年或翻倍

长鑫存储在科创板挂牌首日股价较发行价上涨 472%,盘中隐含市值一度突破 5,000 亿美元,短暂超过英特尔。高盛在 7 月 24 日召开的闭门专家会上预计,到 2030 年中国 DRAM 产能将较当前水平翻倍,本土设备渗透率明显提升。报告还提到,长鑫存储计划在 2026 年量产 HBM3 和 HBM3E,3D DRAM 预计于 2027 年迎来研发突破。

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高盛称内存行业遇新压力:长鑫存储 DRAM 产能到 2030 年或翻倍
长鑫科技
2026-07-28 02:54:45

长鑫科技上市首日暴涨,全球存储芯片股集体承压

长鑫科技登陆上交所科创板首日股价上涨超460%,总市值突破3 万亿元人民币,带动市场重新评估全球 DRAM 竞争格局。周一美股存储芯片板块明显走弱,闪迪盘中一度较 6 月高点回撤 47%,SK 海力士 ADR 则在 7 月赴美上市后首次收盘跌破发行价。市场关注长鑫科技融资后扩产和研发能力提升,但也有观点认为,HBM 仍是美光、SK 海力士和三星短期内更稳固的优势领域。

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长鑫科技上市首日暴涨,全球存储芯片股集体承压
日本股市
2026-07-28 02:43:02

高盛:日元闪升概率降温,但日股仓位拥挤风险高于 2024 年

高盛日本股票策略团队认为,当前触发日元快速升值的宏观条件较 2024 年明显减弱,日本股市重演当年 8 月崩盘的直接概率下降。不过,外资净买入、对冲基金配置比例和散户融资余额都已高于 2024 年 7 月,市场仓位更拥挤、结构也更集中。报告指出,若 AI 叙事受挫或地缘政治冲击出现,日股脆弱性可能反而强于两年前。

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高盛:日元闪升概率降温,但日股仓位拥挤风险高于 2024 年
长鑫存储
2026-07-27 02:21:53

长鑫存储登陆上交所首日涨472%,创中国第二大 IPO 纪录

长鑫存储 7 月 27 日在上海证券交易所挂牌,首日股价较发行价上涨 472%。公司此次 IPO 募资 666 亿元人民币,创下中国历史第二大 IPO 纪录,仅次于 2010 年中国农业银行。发行共 66.88 亿股,发行价 8.66 元,开盘价 49.50 元,市值约 3.3 万亿元。彭博数据显示,其发行估值较全球同业和中国本土芯片制造商均存在明显折价。

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长鑫存储登陆上交所首日涨472%,创中国第二大 IPO 纪录