SK海力士为下一代 HBM 引入先进封装，计划迈向 3D 封装

SK 海力士正为下一代 HBM 方案引入包括英特尔 EMIB 在内的先进封装技术，并计划最终进入 3D 封装阶段。公司在 2026 年 Hot Chips 大会上披露，将通过混合键合、增加 TSV 数量、提升逻辑工艺集成的 IO 速度及优化 PDN，推进 HBM 路线图并应对 16 层堆叠与功耗问题。截至发文时，SK 海力士韩股上涨 1.71%。