SK 海力士正为下一代 HBM 方案引入包括英特尔 EMIB 在内的先进封装技术，并计划最终进入 3D 封装阶段。公司在 2026 年 Hot Chips 大会上披露，将通过混合键合、增加 TSV 数量、提升逻辑工艺集成的 IO 速度及优化 PDN，推进 HBM 路线图并应对 16 层堆叠与功耗问题。截至发文时，SK 海力士韩股上涨 1.71%。

IEEE Spectrum近期报道，SanDisk与SK海力士正推动一种名为高带宽闪存（HBF）的方案，试图把HBM使用的堆叠与先进封装思路引入NAND Flash。按SanDisk披露的目标，首代HBF单堆栈容量最高可达512GB、读取带宽最高1.6TB/s，后续路线图指向2TB/s和3.2TB/s。两家公司已于2月25日在开放计算项目OCP下启动HBF标准化工作。该方案瞄准大模型推理场景中的读密集型数据，而非替代HBM。