SK海力士为下一代 HBM 引入先进封装，计划迈向 3D 封装

BlockBeats 消息，8 月 24 日，SK 海力士正在为其下一代 HBM 方案引入先进封装技术，其中包括英特尔 EMIB，并计划最终迈入 3D 封装时代。

在 2026 年 Hot Chips 大会上，SK 海力士封装工程副总裁 Jaesik Lee 发表了题为「高带宽内存的先进封装」的报告，介绍了公司如何借助先进封装技术加快 HBM 产品路线图。

目前，SK 海力士正探索混合键合等方法，以突破 16 层堆叠限制。后续公司还计划通过增加 TSV 数量、提高逻辑工艺集成的 IO 速度，以及优化电源分配网络（PDN）来处理功耗挑战。截至发文时，SK 海力士韩股涨 1.71%。