PDD

长鑫存储
2026-07-15 07:24:00

长鑫存储拟募资 295 亿元冲刺上市,DRAM 国产替代进入关键阶段

长鑫存储计划于 7 月 27 日在上海证券交易所上市,拟募资 295 亿元人民币。根据文中披露的数据,该公司成立于 2016 年,截至 2025 年全球 DRAM 市场份额约为 7.7%,位列全球第四。报道指出,募资将主要投向先进产线、技术研发、工艺升级和产能扩充,AI 服务器、高性能计算和云计算带动的内存需求,被视为其此次 IPO 受到关注的重要背景。

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长鑫存储拟募资 295 亿元冲刺上市,DRAM 国产替代进入关键阶段
Hyperliquid
2026-07-15 04:32:45

Hyperliquid 为长鑫科技开出 7.2 美元盘前价,链上资金押注存储叙事

长鑫科技科创板 IPO 申购前夜,Trade.xyz 在 Hyperliquid 上线 CXMT 永续合约,最新价格 7.2 USDC,24 小时成交约 132 万美元、未平仓量约 241 万美元。按发行后总股本折算,链上隐含市值约 3.5 万亿元,落在部分机构预期区间上沿。这也是链上盘前合约首次瞄准 A 股科创板 IPO,给难以直接参与 A 股的海外投资者提供了一个围绕“中国存储替代”交易的入口。

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Hyperliquid 为长鑫科技开出 7.2 美元盘前价,链上资金押注存储叙事
DRAM
2026-07-14 09:06:35

DRAM 三大厂借 SCA 锁单与 AI 投资重塑内存周期

美光、SK 海力士和三星电子正通过战略客户协议、入股 AI 实验室及资本市场操作,尝试改写内存行业过往“大涨后大跌”的周期逻辑。文章援引多家机构模型指出,DRAM 需求增速在 2026 至 2027 年仍高于供给,但 SCA 的前提是市场持续紧张,HBM 定价、2028 年供需收敛,以及中国厂商在通用型 DRAM 与 NAND 的追赶,仍是后续需要面对的风险。

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DRAM 三大厂借 SCA 锁单与 AI 投资重塑内存周期
长鑫科技
2026-07-11 06:32:13

长鑫冲刺科创板:拟募资 295 亿元,DDR5 放量成招股书主线

长鑫科技披露科创板招股意向书,计划发行 66.88 亿股,拟募资 295 亿元,7 月 13 日询价、7 月 16 日申购。招股书显示,公司 2025 年综合毛利率为 40.99%,高于三星和美光;2024 年底以来已停止自有 DDR4 生产,重心转向 DDR5 与 LPDDR5/5X。文件同时未提及 HBM,且提示 2026 年上半年业绩大幅增长存在不可持续风险。

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长鑫冲刺科创板:拟募资 295 亿元,DDR5 放量成招股书主线
Gate
2026-07-01 08:31:19

Gate 股票衍生品专区首发上线 PDD、微策略优先股等 9 个永续合约,支持 1-20 倍杠杆

Gate 交易所宣布其股票衍生品专区将于 7 月 1 日 14:00(UTC+8)首发上线 PDD(拼多多)、STRC(微策略 A 系列永续优先股)、TSEM(高塔半导体)、AAL(美国航空)等 9 个股票的 USDT 永续合约,最高支持 20 倍杠杆。此举进一步丰富了加密交易所的衍生品生态,为投资者提供美股风险敞口的代币化通道。

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Gate 股票衍生品专区首发上线 PDD、微策略优先股等 9 个永续合约,支持 1-20 倍杠杆