三星MX部门主管警告，因AI服务器对内存的庞大需求推高DRAM和NAND价格，手机业务可能面临史上首次年度净亏损。成本结构剧变，内存成本已占旗舰机物料20%以上，利润被严重挤压。

英特尔计划在2026年底小量出货AI推理加速器 Crescent Island，主打气冷、LPDDR5X内存和更低部署成本，目标直指英伟达与AMD的推理市场。

科技博主 Gergely Orosz 指出，Google 内部晋升更奖励“造新产品”而非维护旧系统，导致 AI 产品和工具持续碎片化，开发者迁移成本上升。

联想在 ISC 2026 表示，DRAM 与 NAND 已进入结构性涨价周期。公司称新产能要到 2028 年后才会释放，2030 年形成的新常态价格也将高于 2024、2025 年。

三星电子、SK 海力士和美光已缩减或取消 CXL 扩展设备控制器的商业化计划，转向采用 Montage、Astera Labs、Primemas 等 Fabless 公司的设计方案。报道指出，内存厂商担心高价一体化 CXL 模块会挤压通用 DRAM（DIMM）需求，形成“自我蚕食”。其中，美光与 SK 海力士已明确收缩自研路线，三星则保留内部研发，用于研究 LPDDR 基础的 CXL 等尚未验证方向。

美银全球研究在《Global Memory Tech》报告中称，渠道调查显示第三季度新议定的 DRAM 合约价格涨幅高于市场预期。报告提到，服务器 DRAM 价格环比上涨 20% 至 30%，商品 DDR5 与传统 DDR4 在 7 月继续上涨，HBM4 订单增加。美银预计，第三季度全球 DRAM 平均售价将环比上涨 21%，高于 TrendForce 对相关品类的预测区间。

长鑫科技在科创板IPO获受理约7个月后启动网上、网下申购。招股书显示，公司2023年至2025年净利润分别为-192.25亿元、-90.51亿元和71.44亿元，2025年综合毛利率升至40.99%。公司称业绩改善受益于AI带动的DRAM需求与供需偏紧，但也提示宏观经济、AI需求和新增产能释放等因素仍可能让行业重回下行周期。

Counterpoint 研究总监 Hwang Minsung 表示，长鑫科技要实现长期生存，全球 DRAM 市占率需达到 15% 基准线。当前 CXMT 的全球 DRAM 比特出货量市占率约 9%，目标在 2028 年升至 11%。报告提到，IPO 募资将用于 G5 制程、HBM3 研发和扩产，月产能计划在 2027 年增至 42 万片晶圆。Neil Shah 还称，美国设备出口限制虽带来约束，但也可能推动其在差异化技术路径上追赶传统巨头。