国产 DRAM 厂商长鑫科技，距离登陆资本市场又近了一步。
自 2025 年 12 月科创板 IPO 获受理以来，长鑫科技用约 7 个月完成审核、注册及发行准备，并于 7 月 16 日正式开启科创板 IPO 网上、网下申购，上市进程明显提速。
在上市前夕，这家公司披露的业绩数据也出现了明显变化。招股书显示，2023 年至 2025 年，长鑫科技净利润分别为 -192.25 亿元、-90.51 亿元、71.44 亿元。对于一家长期依靠资本投入追赶海外巨头的存储芯片企业来说，这组数据被市场视作国产 DRAM 业务进入商业化兑现阶段的重要信号。
不过，盈利改善能否延续，仍是外界最关心的问题。
长鑫科技董事长朱一明在 7 月 15 日投资者交流会上对《凤凰WEEKLY财经》表示，2025 年下半年以来，公司业绩增长受益于 AI 驱动的 DRAM 需求爆发以及行业供需紧张，但 DRAM 行业具有强周期性，价格波动较大，AI 发展对市场需求也存在不确定性。若宏观经济发生不利变化、AI 需求不及预期，或新产能集中释放，行业仍可能重回下行周期。
汇生国际资本总裁黄立冲表示：“行业周期负责点火，公司能力负责把火变成利润。”在他看来，判断盈利变化是否可持续，不能只看今年存储价格，还要继续观察单位成本、先进产品收入占比以及经营现金流。
盈利能力已修复，但周期压力没有消失
存储芯片属于重资产行业，周期性很强。全球 DRAM 市场长期由三星、SK 海力士、美光等寡头主导，行业盈利高度依赖供需关系和产品结构，当前高端 DDR5、HBM 是利润核心。
长鑫科技是国内唯一实现 DRAM 量产的厂商。公司早年依托 DDR4 完成国产替代起步，目前主力生产 DDR5、LPDDR5X，并同步推进 HBM 研发，老旧 DDR4 正逐步收缩。
过去几年，全球存储芯片市场经历深度调整，价格下跌、库存高企成为行业普遍压力，长鑫科技也受到明显影响。招股书显示，截至 2025 年 12 月 31 日，公司累计未弥补亏损达到 366.5 亿元，原因包括 DRAM 行业规模导向明显，需要持续提升产能规模，同时晶圆厂建设带来的固定资产投入和折旧压力较高。
随着存储周期反转，长鑫科技的盈利能力快速修复。招股书显示，2025 年收入增长主要来自两个方面：一是 DRAM 产品价格上涨，二是产销规模扩大以及产品结构优化。其中，公司主要 DRAM 产品平均销售单价同比上涨 33.69%。
黄立冲表示，行业周期只是盈利改善的外部因素，公司自身能力提升决定了利润能否真正兑现。如果只有涨价，没有产品、产能和成本能力，利润也不会如此快速释放。
招股书数据显示，2025 年长鑫科技 DDR 产品单位价格上涨 61%，同时单位成本下降 26.26%；LPDDR 产品单位价格上涨 24.46%，单位成本下降 22.85%。公司综合毛利率也从 2023 年的 -1.93% 提升至 2025 年的 40.99%，接近三星、美光等海外厂商水平。
黄立冲认为，这说明规模效应、良率提升、精益生产和产品结构升级已经开始发挥作用，高毛利 DDR5 产品的快速放量也是盈利改善的重要原因。
但盈利能力回升，并不代表长鑫科技已经摆脱周期波动。DRAM 行业价格起伏明显，企业仍要承担高额固定成本。招股书显示，2023 年至 2025 年，长鑫科技固定资产折旧分别为 105.55 亿元、148.75 亿元和 246.8 亿元。
黄立冲表示：“穿越周期不是每个年份都保持高利润，而是在行业低谷少亏、不失血，研发不断档，在行业复苏时能够比上一轮更快释放利润。”
科创板拟募资 295 亿元，仍在追赶海外巨头
招股书显示，长鑫科技拟通过科创板 IPO 募集资金 295 亿元。其中，75 亿元用于晶圆制造量产线技术升级，130 亿元用于 DRAM 技术升级，90 亿元用于前瞻技术研发。
这笔融资在公司发展路径中意义不止于补充资金，也被视作其继续追赶海外头部存储厂商的重要节点。
朱一明在 7 月 15 日投资者交流会上表示，长鑫科技产能规模已位居中国第一、全球第四，并在合肥和北京拥有三座 12 英寸 DRAM 晶圆厂。随着 DDR5 和 LPDDR5/5X 等产品加速渗透下游市场，服务器、移动设备、个人电脑、智能汽车以及其他多元应用场景持续发展，DRAM 市场需求继续增长，募投项目具有良好发展前景。
不过，从全球市场份额看，长鑫科技仍处在追赶位置。数据显示，2025 年第四季度，长鑫科技全球 DRAM 销售额市场份额约为 7.67%，而三星、SK 海力士、美光分别占据 33.96%、34.48% 和 23.41%。
国联民生证券认为，长鑫科技借科创板 IPO 拟募 295 亿元启动大规模扩产，当前其产能规模与海外巨头差距仍然显著，现有产能已接近满产。在中长期多基地推进布局的情况下，Semianalysis 预测公司 2028 年全球市占率达 17%，对标海外大厂产能体量，长鑫后续扩产增量空间较大。
黄立冲表示，长鑫科技已经跨过国产 DRAM “从零到一”的阶段，但距离成为全球头部厂商仍有差距。“有技术但没有良率无法形成商业利润；有产能但成本过高，行业下行时就会承受巨大亏损。”
在他看来，公司下一阶段最需要补齐的是先进工艺的大规模稳定量产能力，核心体现在良率和每比特成本。同时，长鑫科技还需要提升高端产品组合、全球客户资源以及先进封装等能力。
AI 扩大需求空间，高端产品能力仍待验证
黄立冲表示，市场份额增长并不是唯一目标，更重要的是市场份额提升能否伴随技术代际升级。
随着 AI 产业快速发展，存储芯片正成为新的竞争焦点。AI 服务器对内存容量、带宽和低功耗提出更高要求，带动 DDR5、高性能内存及相关存储产品需求增长。对存储厂商来说，AI 不只是带来新增需求，也在改变行业竞争格局。
海外存储巨头近年正通过 HBM 等高附加值产品布局 AI 市场，以降低传统 DRAM 周期波动带来的影响。相比之下，长鑫科技仍处于向高端存储突破的阶段。招股书显示，目前公司 AI 相关收入占比仍相对较低，且未披露 HBM 已经形成规模收入。
黄立冲认为，未来一段时间，长鑫科技的增长仍主要依赖 DDR4 向 DDR5 升级、LPDDR4X 向 LPDDR5/5X 升级，以及国产化率提升。“AI 决定行业天花板，传统 DRAM 升级、工艺良率和成本能力决定长鑫能不能真正爬到这个天花板。”
在他看来，长鑫科技需要在保持规模制造优势的同时，继续提升高端产品竞争力，才能获得更大的市场空间。
艾媒咨询集团 CEO 张毅也表示，AI 浪潮显著拓宽了存储行业成长空间，并重塑了行业增长逻辑。未来长鑫科技需要依托传统 DRAM 迭代与 AI 高端存储研发“双线布局”：短期通过 DDR5 产品结构升级稳固基本盘、提升盈利质量；中长期则需要推动 HBM 等 AI 高附加值存储产品产业化落地，这将成为公司继续缩小与国际头部企业差距的重要方向。
本文来自微信公众号“凤凰WEEKLY财经”，作者王涵，编辑崔陆鹏。