三星披露 1nm 路线图:2030 年前后量产导入高 NA EUV
三星电子在 2026 年 NGL 会议上公布新一代光刻路线,计划在 1nm 工艺的大规模生产中部署高 NA EUV,相关节点最早可能于 2030 年进入量产。该公司称,1nm 也被标注为 A10,目前已实现 2nm 工艺商业化,并计划在 2029 年启动 1.4nm SF1.4 量产,2030 年推进 SF1.4+ 与 1nm 工艺量产准备。

三星电子在 2026 年 NGL 会议上公布新一代光刻路线,计划在 1nm 工艺的大规模生产中部署高 NA EUV,相关节点最早可能于 2030 年进入量产。该公司称,1nm 也被标注为 A10,目前已实现 2nm 工艺商业化,并计划在 2029 年启动 1.4nm SF1.4 量产,2030 年推进 SF1.4+ 与 1nm 工艺量产准备。

三星电子、SK 海力士和美光科技最新财季业绩创下新高,但股价近一个多月均明显回撤,市场担心存储行业再度陷入“涨价—扩产—过剩—暴跌”的旧周期。公开信息显示,三家公司本轮扩产更集中在 HBM 和 AI 服务器用 DRAM,并通过三至五年期长协、保底价格、照付不议和预付款锁定收入。多家机构和产业人士判断,供需缺口至少延续到 2027 年甚至 2028 年前,真正的变量在于长协覆盖率、新增产能释放时间,以及长鑫科技等新进入者在 2028 年后的影响。

据 BlockBeats 援引一财消息,长鑫存储的 LPDDR6 已接近研发验证尾声,这被视为量产前的重要一步。市场今年 3 月曾传出,长鑫科技旗下长鑫存储正推进 LPDDR6 落地,并已向核心客户送样,产品有望于 2026 年下半年发布并导入量产。相关信息还披露了首款产品的速率、容量、封装及低功耗与 RAS 优化情况。

联电 7 月 14 日宣布,新加坡 12 吋厂已完成首批矽光子晶圆量产交付,并与 SILITH 合作布局 1.6T AI 数据中心高速传输市场。双方用 18 个月完成从开发到量产导入,联电称平台已达到量产标准并通过全球领先云基础设施客户认证。公司还预告 2027 年开放自有 12 吋矽光子平台,花旗则看好其下半年季度营收与毛利率回升。

比特小鹿推出新一代ASIC矿机Sealminer A2,算力达226TH/s、能效为16.5J/T,并称量产导入正在推进,意在挑战比特大陆等头部厂商。

比特小鹿推出新一代ASIC矿机Sealminer A2,官方称其算力达226TH/s、能效16.5J/T,并已推进量产导入,正式向比特大陆、神马矿机等头部厂商发起竞争。

比特小鹿推出Sealminer A2 ASIC矿机,算力226TH/s、能效16.5J/T,与台积电合作生产芯片,旨在挑战比特大陆等巨头,近期量产。

Bitdeer推出新一代比特币矿机Sealminer A2,宣称算力达226TH/s、能效为16.5J/T,已启动量产导入,正面挑战Bitmain、Microbt等头部厂商。
