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量产导入

三星电子
2026-08-11 06:28:20

三星披露 1nm 路线图:2030 年前后量产导入高 NA EUV

三星电子在 2026 年 NGL 会议上公布新一代光刻路线,计划在 1nm 工艺的大规模生产中部署高 NA EUV,相关节点最早可能于 2030 年进入量产。该公司称,1nm 也被标注为 A10,目前已实现 2nm 工艺商业化,并计划在 2029 年启动 1.4nm SF1.4 量产,2030 年推进 SF1.4+ 与 1nm 工艺量产准备。

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三星披露 1nm 路线图:2030 年前后量产导入高 NA EUV
存储芯片
2026-08-10 05:49:15

存储三巨头改写交易规则,行业这轮会否走出“死亡循环”

三星电子、SK 海力士和美光科技最新财季业绩创下新高,但股价近一个多月均明显回撤,市场担心存储行业再度陷入“涨价—扩产—过剩—暴跌”的旧周期。公开信息显示,三家公司本轮扩产更集中在 HBM 和 AI 服务器用 DRAM,并通过三至五年期长协、保底价格、照付不议和预付款锁定收入。多家机构和产业人士判断,供需缺口至少延续到 2027 年甚至 2028 年前,真正的变量在于长协覆盖率、新增产能释放时间,以及长鑫科技等新进入者在 2028 年后的影响。

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存储三巨头改写交易规则,行业这轮会否走出“死亡循环”
长鑫存储
2026-08-01 03:15:23

消息称长鑫存储 LPDDR6 已接近研发验证尾声

据 BlockBeats 援引一财消息,长鑫存储的 LPDDR6 已接近研发验证尾声,这被视为量产前的重要一步。市场今年 3 月曾传出,长鑫科技旗下长鑫存储正推进 LPDDR6 落地,并已向核心客户送样,产品有望于 2026 年下半年发布并导入量产。相关信息还披露了首款产品的速率、容量、封装及低功耗与 RAS 优化情况。

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消息称长鑫存储 LPDDR6 已接近研发验证尾声
联电
2026-07-14 08:23:40

联电新加坡厂交付首批矽光子晶圆,花旗看好下半年营运回温

联电 7 月 14 日宣布,新加坡 12 吋厂已完成首批矽光子晶圆量产交付,并与 SILITH 合作布局 1.6T AI 数据中心高速传输市场。双方用 18 个月完成从开发到量产导入,联电称平台已达到量产标准并通过全球领先云基础设施客户认证。公司还预告 2027 年开放自有 12 吋矽光子平台,花旗则看好其下半年季度营收与毛利率回升。

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联电新加坡厂交付首批矽光子晶圆,花旗看好下半年营运回温