作者 animajoe0917 在 PANews 撰文表示，2026 年 8 月 4 日，存储行业同日出现两项变化：上午，SK 海力士和闪迪在 FMS 2026 发布高带宽闪存 HBF 的首个标准规范，提出一个位于 HBM 与 SSD 之间的新存储层级；下午，TrendForce 披露，英伟达正在评估下调 Rubin Ultra 的 HBM 配置，从原定的 12hi HBM4E，改为并行评估 HBM4E 8hi、HBM4 12hi、HBM4 8hi。
文中还提到，当天美光盘前上涨 3.68%，SK 海力士上涨 3%，闪迪上涨 4.42%。作者据此给出的判断是，HBM 的供应瓶颈正在被正视，替代方案也开始被正式提出，但这并不是单纯的“存储牛市”叙事，而是整个存储体系的价值分配正在被改写，关键变量不是 NAND 工艺或封装单点突破，而是互联。
瓶颈位置正在变化
文章将核心命题概括为“瓶颈在搬家”。在 2026 年 3 月 GTC 上，英伟达发布 Vera Rubin 平台，其中两个数字被视为新范式的代表：NVLink 6 单 GPU 双向带宽达到 3.6 TB/s，是 Blackwell 的 2 倍；NVL72 机架总互联带宽达到 260 TB/s，可实现 72 颗 Rubin GPU 与 36 颗 Vera CPU 全连接。
作者认为，更关键的不是带宽本身提高了多少，而是谁增长得更快。文章称，Blackwell 时代，单卡 HBM3E 带宽 8 TB/s，明显高于 NVLink 5 的 1.8 TB/s，瓶颈主要在片间通信。到了 Vera Rubin，HBM4 带宽翻倍到约 1.2 TB/s 单卡，NVLink 6 则提升到 2 倍以上。与此同时，集群规模从千卡级扩大到十万卡级，片间通信量的膨胀速度快于单卡内存带宽增速，AI 基础设施的主要矛盾因此从“一张卡吃不吃得饱”，变成“十万张卡能不能顺畅通信”。文章将这一判断的证据等级标为五星，并注明依据为 GTC 2026 官方数据。
从 3 月到 8 月，七个事件指向同一条逻辑链
文章将 2026 年 3 月到 8 月的多项事件串联起来，认为它们指向的是同一进程的不同侧面：
- 2026 年 3 月 GTC：NVLink 6 达到 3.6 TB/s，机架总带宽达到 260 TB/s；
- 2026 年 7 月：NVIDIA Spectrum-X CPO 出货，意味着 CPO 量产提前 2 年；
- 2026 年 7 月：新易盛 H1 增长 78%-103%，1.6T 在 Q3 至 Q4 加速；
- 2026 年 7 月：英特尔发布 EMIB-T，联发科确认双路线，采用 EMIB-T 与 CoWoS；
- 2026 年 8 月：台积电反向借鉴 EMIB，联合景硕研发类 EMIB 封装；
- 2026 年 8 月：HBF 标准发布，UCIe 可直连 CPU/GPU，Google 入局；
- 2026 年 8 月：英伟达评估下调 HBM 配置。
文章认为，单看每一项都是独立新闻，放在一起则体现出相同趋势：互联带宽在加速扩张，先进封装正尝试打破垄断，HBM 出现主动降配，新存储层级则通过互联总线形成。对应的进程名称，是瓶颈从计算单元内部向互联层迁移。文中还写道，互联不只是数据中心里 GPU 之间的连线，而是在重组整个“计算+存储”金字塔。
五层结构下的价值重排
第一层：光电互联
文章把光电互联列为当前最核心的瓶颈，并给出五星评级。原因是，铜互联的物理极限在 NVL72 机架内已被推到很高水平，下一代 NVL144、NVL288 必须把光引入机架。文中认为，互联带宽增速持续快于内存带宽增速，这并不是简单地“补短板”，而是在继续扩大高速数据通路。
文中列出的数据包括：NVLink 6 单卡双向带宽 3.6 TB/s，NVL72 机架总互联带宽 260 TB/s；NVIDIA Spectrum-X CPO 为 400 Tb/s，且已出货；Broadcom 51.2T Bailly CPO 持续小批量出货；TrendForce 预计 CPO/NPO 市场到 2030 年超过 3900 亿美元；新易盛 2026 年上半年净利润 70 亿至 80 亿元人民币，同比增长 78%-103%；中际旭创 2026 年第一季度营收 195 亿元人民币，同比增长 192%；天孚通信 2026 年上半年净利润 11.2 亿至 13 亿元人民币，同比增长 25%-45%；1.6T 光模块在 2026 年第三至第四季度加速放量；新易盛称硅光产品占比将大幅提升，全年出货占比跃升；中际旭创港股 IPO 规模为 550 亿港元，约合 700 亿美元，筹备 3.2T 与硅光；超大规模云服务商 2026 年 AI 资本开支预计超过 7000 亿美元，数据来源为 CoBank。
作者据此认为，互联赛道同时具备三个特点：增速快、结构硬、可投资环节多，涵盖光模块、光引擎、硅光、DSP、交换芯片、激光器等。但文中也列出风险，包括中际旭创 TTM 市盈率 81 倍带来的估值压力、硅光物理极限，以及资本开支增速拐点。
第二层：先进封装
文章将先进封装定义为互联的物理底座，评级为四星半。原因是，互联带宽的最终约束并不在光纤或电缆，而是在芯片与芯片之间的物理连接。封装产能何时打开，直接决定 CPO 与 Chiplet 混合封装的落地节奏。
文中称，台积电 CoWoS 产能持续紧张。7 月 30 日，The Information 报道，台积电正与景硕科技联合研发“类 EMIB”封装方案，因为 CoWoS 所使用的硅中介层在大面积 Chiplet 场景下成本过高、产能不足。作者据此认为，台积电反向借鉴英特尔 EMIB 路线，本身已说明 CoWoS 瓶颈突出。
另一边，英特尔在 IEEE ECTC 2026 上展示了 EMIB-T，在硅桥中引入 TSV 以实现垂直供电。文章援引供应链消息称，EMIB-T 成本比 CoWoS 低 50%，良率 98%，计划于 2027 年大规模量产。联发科在第二季度财报中首次确认，其 AI ASIC 项目同时使用 EMIB-T 和 CoWoS。文章还写道，英特尔 18A 已拿下 AMD、英伟达、Marvell、微软、美光、OpenAI 客户，良率达到 85%。
在文中整理的对比中，英特尔 18A 的特点包括良率 85%、High NA EUV 首发；台积电方面则是 3nm 月产 18 万片，时间点为 Q4E，2nm 在推进中。封装层面，英特尔主打 EMIB-T，强调成本低 50%、良率 98%；台积电则仍以 CoWoS 为主，但面临产能紧张并同步研发类 EMIB。作者认为，这意味着封装将从一家独大变为双供应商格局，进而降低其对互联扩张的限制，形成互联需求的二阶催化。
第三层：HBM
在文章框架中，HBM 被定义为“已定价的瓶颈”，评级四星。原因在于，HBM 仍是 AI GPU 最贴近计算单元的内存，物理距离最近、带宽最高，但供给约束正在从短期问题转为结构性问题，继续增加 HBM 容量的边际成本开始超过边际收益。
文章写道，HBM 市场由三家厂商主导，三星份额约 39%，其余主要参与者为 SK 海力士和美光，路线图为 HBM3E、HBM4、HBM4E。BofA 预测，这一市场将从 2026 年约 3500 亿美元增至 2030 年的 2.46 万亿美元，约为 7 倍。
但文中强调，8 月 4 日 TrendForce 报告揭示了一个转折点：从 2026 年第三季度起，英伟达将 Rubin Ultra 的 HBM 配置从 12hi HBM4E，改为同时评估 HBM4E 8hi、HBM4 12hi、HBM4 8hi。除英伟达外，多家云服务提供商也在考虑下调自研 ASIC 的 HBM 容量。文中给出的原因包括 DRAM 供不应求可能持续到 2027 年，以及 HBM4E 12hi 的验证进度存在不确定性。
作者据此认为，当最具采购能力的买家开始主动降配，说明 HBM 的供给限制已从阶段性问题转向结构性问题。文章同时指出，HBM 仍不可替代，尤其在推理 batch=1 的低时延场景中，HBM 带宽依然是第一约束；但从投资角度看，它更多体现为线性改良，而非架构级重构，加上三家寡头格局已被充分定价，在英伟达砍配置、HBF 发布标准的背景下，HBM 的稀缺性正面临双向挤压，因此“有配置价值，无超额弹性”。
第四层：HBF
文章把 HBF 定义为真正的新类别，评级三颗半星。作者认为，HBF 并不是 HBM 的替代品，而是用来填补 HBM 高价格与低容量之间所留下的空白。文中写道，在推理时代，“内存墙”更接近容量墙，而不是带宽墙。
根据 8 月 4 日发布的首个标准，HBF 采用 8 层或 16 层 NAND 堆叠，最高容量可达 512GB；带宽分为 0.4 至 3.0 TB/s 三个等级；接口为 UCIe；定位介于 HBM 和 SSD 之间。联盟参与方为 SK 海力士和闪迪，由 OCP 发布规范，耗时 6 个月完成；生态方面，Google 和 Tenstorrent 已加入，8 月 6 日还将举行 Google DeepMind 圆桌。
文章认为，HBF 的逻辑是通过 NAND 堆叠实现高带宽，再借助 UCIe 互联总线与 CPU、GPU 紧耦合。与单堆栈容量 24GB 至 36GB 的 HBM 相比，HBF 可达 512GB，是数量级上的提升；而 HBF Grade 3 带宽达到 3.0 TB/s，高于 HBM4。作者据此强调，它不是为了替代 HBM，而是面向推理场景下的近计算大容量存储池需求。文中提到，KV Cache 规模往往达到数十 GB 甚至数百 GB，所需并非 HBM 8 TB/s 的极限带宽，而是更大的近计算容量池。HBF 以远低于 HBM 的成本，适配读多写少、可预取的访问模式。
文章还指出，Google DeepMind 的加入并非象征性站台，而是因为其推理基础设施率先遭遇这类容量瓶颈。更重要的是，HBF 的成立基础并不是 NAND 本身的单点突破，而是 UCIe 这类互联总线带宽突破。文中明确写道，没有 UCIe，就没有 HBF，这说明互联已经开始重新定义存储价值。作者给出的证据等级为三颗半星，理由是 OCP 正式标准和联盟已落地，但距离量产至少还有 2 年。
在受益标的上，文章点名闪迪、SK 海力士和美光。文中称，闪迪作为 HBF 联盟双主角之一，拆分后股价上涨 4600%，毛利率达到 78.4%，市场给出的定价并非传统 NAND 逻辑，而是“NAND 被重新定义为 AI 平台组件”的逻辑。国内映射方面，文章提到长江存储，以及芯原、澜起等 UCIe/Chiplet 方向公司，但同时指出 HBF 对封装堆叠要求很高，短期内难以进入核心链条。
第五层：CXL 内存池，以及 DDR5 与 NAND
CXL 内存池在文章中被列为互联逻辑的远期期权，评级三星。作者认为，CXL 的本质不是“更多内存”，而是通过互联总线把内存从服务器中拆出来并进行池化，这与互联逻辑是一脉相承的延伸。
文中提到的最新进展包括：澜起科技率先试产 CXL 3.2 MXC 芯片，速率为 64GT/s，并导入三星和 SK 海力士供应链，被作者称为中国控制器芯片首次进入韩系原厂；Meta 利用 CXL 回收旧 DDR4，使服务器数量减少 25%；Marvell 推出 Tanzanite 一体化端到端 CXL 平台。尽管如此，文章认为 CXL 生态成熟度仍不足，CXL-aware 操作系统、内存编排和应用适配仍处早期，真正大规模部署要到 2027 至 2028 年，因此现阶段“适合跟踪池，不适合现价下单”。
至于更下层的 DDR5 与 NAND，作者分别给出三星和两星半评级。文章认为，DDR5 更多受益于 AI 服务器 host CPU 核心数增加，属于自然量增，缺乏独立超额催化；NAND 则属于独立周期逻辑，训练过程并不依赖存储带宽，推理侧即便有增量，也主要来自容量需求，而非性能瓶颈。因此两者有配置价值，但不在“瓶颈迁移”框架的优先主线之中。
投资映射与 Marvell 的单独位置
文章给出的投资映射中，优先级最高的是光电互联，代表标的包括中际旭创、新易盛、天孚，以及 $COHR、$LITE、$AAOI、$MRVL、$AVGO、$SIVE，对应逻辑是“瓶颈直接受益，架构重构”，时间窗口为 2026 年下半年到 2027 年的放量主升阶段。
第二层为先进封装，文章提及英特尔、台积电及封装设备链，对应逻辑是互联底座与打破 CoWoS 垄断，时间窗口为 2026 年到 2027 年的产能释放。HBM 位列其后，代表标的为 SK 海力士、三星、美光，对应“基本盘、供给约束持续”，但文章强调弹性正在收敛。HBF 被列为新品类 0 到 1，代表标的包括闪迪、SK 海力士和 $MU，文中判断 2026 年到 2027 年主要体现为叙事驱动，2028 年之后再看业绩。CXL 内存池对应澜起科技与 $MRVL，观察窗口在 2027 年到 2028 年。DDR5 与 NAND 则分别归入服务器出货带动与独立周期逻辑。
作者还单独提到 Marvell，认为它横跨 DSP、Teralynx 交换芯片、定制 ASIC 与 CXL，是互联基础设施的全栈供应商。文中指出，Teralynx 10 采用 3nm 工艺，带宽为 100.4 Tb/s，再加上定制 ASIC，这两部分尚未被市场充分定价。因此，如果互联是第一主线，Marvell 的配置价值并不低于光模块本身。
文章列出的主要风险
文章最后列出五项风险。其一，HBF 目前是规范而不是产品，最快也要到 2028 年才能规模出货，2026 年到 2027 年主要依赖叙事推动，而非业绩验证，因此闪迪 4600% 的涨幅与 78.4% 毛利率所对应的估值仍需检验。
其二，AI 资本开支周期若在 2027 年出现拐点，例如增速从 7000 亿美元以上回落，互联与 HBM 的增速都可能承压。其三，技术路线存在不确定性，硅光调制器接近物理极限，而下一代薄膜铌酸锂、聚合物等光调制技术尚未成熟。其四，估值风险依旧明显，中际旭创市盈率 81 倍、新易盛市盈率 65 倍，当前价格已包含持续超预期放量的预期，一旦 1.6T 或硅光进展不及预期，弹性可能快速收敛。其五，地缘政治风险仍在，若光模块或光引擎出口管制升级，A 股标的中际旭创、新易盛、天孚可能首当其冲；美股标的 $COHR、$LITE、$AAOI、$MRVL、$AVGO 相对更分散。