三星 12 层 HBM4E 通过英伟达验证,次世代供货竞争升温

三星 12 层 HBM4E 通过英伟达验证,次世代供货竞争升温

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News Editor
2026-10-08 03:54:16
韩国经济10月7日报道称,三星电子内存事业部已在9月底通过英伟达及多家超大规模数据中心客户对 12 层 HBM4E 的质量验证。报道同时指出,验证通过并不等于已经拿到订单,供货量、合约规模和量产时间仍未确认。三星此前披露,这款产品容量为 48GB,单 pin 最高 16Gbps,能效较前代提升 16%。

《韩国经济》10 月 7 日独家报道称,三星电子内存事业部已在 9 月底通过英伟达(NVIDIA)及多家超大规模数据中心运营商对第七代高带宽内存 HBM4E 12 层堆叠产品的质量验证。

报道认为,这一进展让三星在与 SK 海力士、美光的下一代 HBM 供货竞争中,取得了先发位置。

已通过多家客户验证,但订单仍未确定

报道指出,三星 12 层 HBM4E 已完成包括英伟达在内多家客户的检验流程。该流程会按照客户提出的规格,逐项检查产品质量与稳定性,是 HBM 拿到订单前必须经过的环节。

不过,验证通过并不等于已经取得订单。报道明确提到,目前各家客户的供货量、合约规模以及量产供货时间点都还没有确认。

从时间线看,三星在今年 2 月宣布 HBM4 开始量产出货,5 月又宣布向全球客户提供 12 层 HBM4E 样品。当时三星没有公开客户名称,业界推测对象包括英伟达和主要 hyperscaler。

英伟达推进 NVHBM,三星同步开发 8 层版本

在另一条产品路线中,英伟达正推进 NVHBM 项目,把定制内存控制器下放并整合到 HBM 堆叠最底层的基础晶粒(Base Die)。

针对这一需求,三星也在开发 8 层堆叠版 HBM4E,目标单 pin 速度为 17 至 18Gbps,预计最快会在 Rubin Ultra 中导入。

12 层 HBM4E 规格已由三星此前披露

HBM4E 建立在 HBM4 的基础架构上,属于在运行速度、带宽和电源效率上继续提升的升级版本。根据三星此前公开的数据,这款 12 层产品的主要规格包括:

  • 容量为 48GB
  • 单 pin 最高速度 16Gbps,较前一代 HBM4 提升 20% 以上
  • 通过低功耗设计与封装结构优化,能效较前代提升 16%
  • 采用 1c(第六代 10 纳米级)DRAM,并搭配三星晶圆代工 4 纳米逻辑底层芯片,制程组合与已量产的 HBM4 相同

三星在样品出货时曾表示,HBM4E 会配合客户时程进入量产供应。报道也说明,上述参数都来自三星此前发布的信息,并不是这次验证带来的新增披露。

HBM 价格与市占变化推高关注度

这次验证消息之所以受到关注,也与 HBM 价格和市场份额变化有关。

链新闻此前报道称,三星对 2027 年 HBM4 的报价已开到每 Gb 4 美元中后段,超过当前主力 HBM3E 约 1.5 美元价格的 3 倍。美光也在法说会上表示,2027 年 HBM 供应大多已被客户签下,价格明显高于 2026 年。TrendForce 预计,2027 年 HBM 平均售价将同比增长约 121%,并预计 HBM4E 会从明年下半年开始放量。

市占方面,Counterpoint Research 的数据显示,按营收计算,三星全球 HBM 市占率从第一季度的 21% 升至第二季度的 33%;同期 SK 海力士从 58% 降至 50%,美光从 21% 降至 18%。SK 海力士仍排在第一,三星的追赶幅度则较为明显。

目前,业界仍在关注三星能否把 HBM4E 验证转化为实际订单、HBM4E 的实际量产时间,以及 SK 海力士与美光在同一代产品上的验证进展。

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