三星电机提出 AI 半导体封装基板多层核心技术方向

ChainCatcher 消息，9 月 10 日，三星电机封装事业部课长金相勋在仁川松岛会议中心举行的 KPCA Show 国际研讨会 INSIGHT 2026 上发表演讲，提出应对 AI 半导体封装基板大型化、高多层化的多层核心（MLC）技术方向。

单层核心方案面临加工限制

金相勋表示，过去常见做法是通过增加单张 CCL 厚度，采用单层核心（SLC）方案。但随着核心厚度增加，内部过孔和电路加工难度会上升，过孔尺寸缩小也会受到限制。

MLC 转向多层组合与混合结构

他提出，MLC 可转向 CCL 与 PPG 的多层组合结构，甚至采用两张 CCL 的混合结构。这样的设计可以同时提升刚性和布线自由度，也能在 PPG 层布置地线或信号布线。

在两张 CCL 中间加入接合层后，基板支撑会更稳定，但相应工艺也会变得更复杂。

不同凸点间距对应的工艺拐点

金相勋称，当前量产常用的凸点间距在 90μm 以上，85μm 左右是印刷微细焊球工艺的拐点，到了 80μm 附近，制造难度会明显上升。若进入 55–45μm 级，工艺路线可能转向金属凸点。

玻璃核心被视为另一种选项

除 MLC 外，玻璃核心也被提及为另一种方案。按其说法，玻璃核心刚性更高、热膨胀系数更低，有助于减少大型封装翘曲，但仍需解决易碎处理和微孔镀覆技术问题。

高性能封装基板朝更大尺寸和更高层数发展

金相勋表示，基板需要同时满足信号完整性、电源完整性和机械完整性。高性能封装基板的层数与尺寸，也将从约 20 层、90mm 级，继续走向 120mm 级乃至 40 层以上。