三星电机与高通联合开发 2.1D 封装有机桥技术

ChainCatcher 消息，三星电机与高通正在共同开发用于 2.1D 封装的有机桥技术，相关开发与验证已进行一年以上。

有机桥类似英特尔 EMIB 所用的硅桥，但采用有机材料，并以基板工艺制作，主要用于连接同一封装内的多颗半导体芯片。三星电机的做法是在带凹槽的 FC-BGA 基板中埋入有机桥，连接高通芯片，并评估其性能与可靠性。

高通正考虑将这项技术用于数据中心大型多芯片半导体，并于 2024 年 10 月申请了相关专利。除高通外，三星电机也在与多家其他客户并行推进这项技术开发。

按目标规格，有机桥将采用 5 至 7 层再布线层，线宽与间距为 1.5 至 2 微米，过孔为 4 至 5 微米，芯片间图案密度达到每毫米 500 至 1000 个。三星电机目前一方面自行试制评估样品，另一方面也在评估外部供应，并与三星电子晶圆代工厂合作进行封装评估。