ChainCatcher 消息，三星电子将采用台积电的 3 纳米制程，为英伟达生产下一代定制 HBM 芯片基底裸片。
这是三星首次在 HBM 制造阶段与台积电合作。消息称，英伟达要求三星、SK 海力士和美光科技采用台积电工艺制造 NVHBM 基底裸片，并使用第六代 DRAM 技术。
三星计划继续自主生产标准 HBM，以及其他客户的定制产品。
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三星将采用台积电 3 纳米工艺为英伟达生产下一代 HBM 基底裸片
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News Editor三星电子将采用台积电 3 纳米制程，为英伟达生产下一代定制 HBM 芯片基底裸片。这是三星首次在 HBM 制造阶段与台积电合作。消息还称，英伟达要求三星、SK 海力士和美光科技采用台积电工艺制造 NVHBM 基底裸片，并使用第六代 DRAM 技术。三星计划继续自主生产标准 HBM 及其他客户的定制产品。
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