ChainCatcher 消息，据韩国媒体报道，三星电子正配合英伟达（NVDA.O）要求开发 8 层第七代高带宽存储器 HBM4E。
与原计划的 12 层、16 层方案相比，8 层方案显著降低了堆叠高度。英伟达提出的速度规格为 17-18Gbps，较三星初期 HBM4E 14.4Gbps 的样品速度高出约 20%。
该产品据报将用于 NVHBM。
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韩媒：三星配合英伟达开发 8 层 HBM4E
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News Editor据韩国媒体报道，三星电子正配合英伟达开发 8 层第七代高带宽存储器 HBM4E。与原计划的 12 层和 16 层方案相比，新方案明显降低了堆叠高度。报道称，英伟达提出的速度规格为 17-18Gbps，高于三星初期 HBM4E 样品的 14.4Gbps，相关产品据报将用于 NVHBM。
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