SK 海力士（SK hynix）于 8 月 27 日在美国印第安纳州举行先进封装人工智能晶圆厂奠基仪式。该项目计划投资超过 40 亿美元，目标是建设美国首个高频宽内存（HBM）生产据点，并加强美韩半导体供应链合作。
按照 SK 海力士的规划，韩国生产的尖端晶圆将运往印第安纳州，在当地完成先进封装和测试，之后再以「美国制造」的形式交付给美国客户。
印第安纳州工厂的投产时间与运营安排
这座工厂位于印第安纳州西拉法叶市，项目总投资超过 40 亿美元。公司预计于 2028 年 10 月启用无尘室，并在 2029 年下半年量产下一代高频宽内存，运营期间预计招聘约 1,000 名专业技术与运营人员。
跨国协作机制方面，韩国本土厂区负责制造尖端晶圆，完成后运往印第安纳州厂区，进行先进封装（Advanced Packaging）与测试，最终交付美国本地客户。
厂区旁还将同步建设先进封装研发测试平台，供产学合作伙伴进行原型制造与性能验证。
获美国晶片政策支持
SK 海力士的投资计划获得美国联邦政府《晶片与科学法案》（CHIPS and Science Act）支持。印第安纳州政界和官员也对这项投资表示肯定。
美国参议员 Todd Young 表示，这项工程对于带动高薪就业机会和强化经济安全具有明确效益。印第安纳州州长 Mike Braun 则指出，先进封装厂落地后，将推动区域产业链连接与升级，并通过补强半导体后端封装设施，改善现有半导体供应链架构，提升高阶内存的供货稳定度。
在地供应链与就业计划
SK 海力士表示，印第安纳州的布局将推动 AI 产业供应链在地化。为支持西拉法叶工厂稳定运营，公司正评估引入相关材料、零组件与设备合作伙伴，以加强美国本地 AI 硬件生态。
根据内部估算，建厂及后续商业运营将在当地及全美创造约 7,000 个直接与间接工作机会。韩国驻美大使表示，这一计划已超出单纯投资的范围，SK 将内存生产基地与研发中心结合，也为技术人才培养和跨国产业链协作提供了案例。
与普渡大学合作，并扩展人才来源
奠基仪式当天，SK 海力士与普渡大学（Purdue University）签署研发合作备忘录（MOU）。双方将围绕系统整合以及包括高频宽内存在内的先进封装技术展开联合研究，并在美国中西部推进人才培养机制。
在人才来源拓展方面，SK 集团结合印第安纳州在韩战期间的历史渊源，宣布加入由韩国商工会议所（KCCI）与韩美同盟基金会运营的就业平台，为退伍驻韩美军提供职业发展机会。
SK 海力士执行长郭鲁正（Kwack Noh-jung）表示，美国拥有顶尖客户与研发优势，印第安纳州工厂将成为交付首批美国制造高频宽内存产品的重要门户。