ASML上调全年指引并披露扩产路线图,华尔街集体看多AI芯片设备需求
ASML公布远超预期的二季度业绩后,上调全年营收和毛利率指引,并首次明确给出 2027 至 2028 年低数值孔径 EUV 与浸没式 DUV 的扩产安排。高盛、摩根大通、巴克莱等机构随后维持或重申买入、增持观点,认为这份成绩单强化了 AI 驱动的逻辑与内存需求,也对内存价格将在 2028 年前见顶的看空叙事形成反驳。

ASML公布远超预期的二季度业绩后,上调全年营收和毛利率指引,并首次明确给出 2027 至 2028 年低数值孔径 EUV 与浸没式 DUV 的扩产安排。高盛、摩根大通、巴克莱等机构随后维持或重申买入、增持观点,认为这份成绩单强化了 AI 驱动的逻辑与内存需求,也对内存价格将在 2028 年前见顶的看空叙事形成反驳。

美国 6 月 CPI 与核心 CPI 双双回落后,市场对美联储本月加息的押注明显降温,带动风险资产普遍反弹。比特币一度突破 6.5 万美元,21Shares 研究策略师 Matt Mena 认为若站稳 6.6 万美元,月底或挑战 7 万至 7.5 万美元;CoinEx 分析师 Jeff Ko 则提醒,9 月 FOMC 会议、美元走势及比特币现货 ETF 资金流仍是后续关键变量。

三星电子7月15日公开否认正评估通过ADR赴美上市,但彭博社此前披露其已与多家投行展开初步讨论。韩国半导体业界消息称,三星管理层更早前已要求财务与IR部门研究发行架构,并向已在纳斯达克挂牌的SK海力士了解实务流程。市场之所以持续关注,也与SK海力士ADR发行后募资与交易表现强劲有关。

SK海力士ADR上市仅三个交易日,较韩国本地股的溢价已扩大至51%,周二单日涨幅达27%。韩国证券存托结算院确认,对应本地新股预计7月29日上市,此前本地股与ADR之间无法提交相互转换申请。即便转换通道开启,本地股转ADR仍受发行上限约束,个人投资者也暂无法通过MTS或HTS完成转换,令套利机制难以有效压缩价差。

SK海力士在美国挂牌的ADR于交易第3天收涨27.3%,几乎收复前一日随韩国股市下挫而出现的9.3%跌幅。受普通股转换ADR的法令与额度限制影响,该证券相对首尔上市普通股的溢价升至51%,明显高于公开发行同期约3%的价差。ABMedia称,这一走势也带动韩国本土股价开盘上涨10%,并提振美股内存、光通信板块以及台股相关内存个股表现预期。

SK海力士7月13日在韩国股市下跌逾15%,其美国ADR周一再跌9.3%,拖累南亚科收跌2.87%至423元,旺宏、华邦电、力积电等相关个股也回落。报道指出,市场担忧AI带动的高带宽内存需求虽强,但价格涨势慢于传统芯片,SK海力士营业利润可能低于预期。彭博社称,外资周一在韩国Kospi卖超1.7万亿韩元,其中SK海力士占了大部分。

韩国存储芯片股周一集体承压,SK海力士暴跌15.4%,创历史最大跌幅,三星跌近11%,韩国KOSPI指数收跌8.9%。导火索包括韩国券商给出的低于预期的二季度利润预测,以及ADR上市后获利回吐。与此同时,美军对伊朗发动新一轮打击,推动油价走高、美债收益率上行,黄金、白银和比特币等资产走弱,市场本周也将迎来美国通胀数据与财报季开局。

Periscope Analytics 分析师 Brian Freitas 表示,SK 海力士新上市的美国存托凭证短期内可能出现估值溢价,幅度或在 30% 至 35%。他认为,随着美国市场被动买盘有限,这一溢价之后会收窄。SK 海力士此次美国发行募资 265 亿美元,其 ADR 上周五在纳斯达克首秀收盘涨近 13%,而该股在今日首尔早盘下跌 10%。
