多名数码博主披露，多家手机厂商已将旗舰机规划产量下调 30% 至 50%，原因指向内存、闪存等成本持续上行，整机售价被迫抬高。采购价方面，12+256GB 组合内存从去年同期约 500 元升至 2200 元。价格上涨已传导到中低端、中高端和旗舰产品线，部分新旗舰还出现售价上调但内存配置下探。IDC 与小米财报数据也显示，行业出货承压，而厂商正把利润重心转向更高价位段。

SK集团会长崔泰源在日本仙台受访时表示，SK海力士正评估在日本设立内存合资厂，但未透露地点与合作伙伴。韩媒称，公司正推动在宫城县投入数十兆韩元兴建内存晶圆厂，当地已提出仙台近郊约 30 万平方米土地方案，并配套用水与电力设施。SK海力士随后公告称，目前仍在检讨增设生产基地等多种方案，尚无确定事项，预计最晚一个月内再行说明。

海关总署公布的前 7 个月数据显示，全国货物贸易进出口总值达 30.13 万亿元，同比增长 17.3%，其中进口增长 22%，高于出口的 14%。城市排名随之调整：深圳以 3.42 万亿元继续位居第一，且进口额首次超过上海；苏州反超北京升至第三；无锡跻身前十，青岛跌出十强。西安以 100.4% 的增速成为前 30 强中涨幅最高的城市。

SK 海力士首席执行官 Kwak Noh-Jung 表示，公司正研究如何深化与日本存储芯片客户及供应商的合作，并谨慎评估共同发展 NAND 闪存市场的方式。对于在铠侠持有的重要间接权益，他称目前没有任何确定计划。与此同时，SK 海力士正推进在美国印第安纳州建设 HBM 封装基地，也仍在评估美国 NAND 子公司 Solidigm 上市的可能性。

SK 海力士首席执行官 Kwak Noh-Jung 表示，公司正研究如何深化与日本存储芯片客户和供应商的合作，并谨慎评估共同发展 NAND 闪存市场的方式。对于公司在铠侠的间接权益，他称目前没有确定计划。与此同时，SK 海力士正投资逾 40 亿美元在美国印第安纳州建设首座美国 HBM 封装基地，并继续评估旗下 Solidigm 在美国上市的可能性。

P Equity Research 与 SemiAnalysis 研究员 Nick Doyle 等人在 X Space 讨论高带宽闪存 HBF。Nick Doyle 表示，当前仍难判断 HBF 相对 HBM 的成本溢价能收窄到何种程度，耐久性、散热可靠性和量产能力都是关键变量。他认为 HBF 不是 HBM 的替代品，主要面向 AI 推理中低 batch、长上下文的 MoE 模型，NAND 短缺预计将持续至 2028 年，HBF 也可能影响供需格局。

Techub News 援引 Crypto Briefing 消息称，SK 海力士正探索与日本存储芯片制造商铠侠在 NAND 闪存领域展开更深层次合作。报道认为，这一动向可能冲击三星电子的主导地位，并对全球存储市场竞争格局带来影响。双方合作目标指向人工智能需求对内存市场的重塑。

据日经亚洲报道，存储芯片制造商铠侠控股计划在日本北部工厂新建生产设施，项目投资预计超过 1 万亿日元，约合 62.7 亿美元。铠侠目前在全球 NAND 闪存市场排名第三，仅次于三星电子和 SK 海力士。报道指出，该公司此举是为跟进韩国竞争对手扩产，以应对市场需求。