据朝鲜日报 9 月 7 日报道，SK 海力士正加快提升 10 纳米级第六代 1c DRAM 的生产占比。业内数据显示，其 1c DRAM 占比已从今年一季度约 10%升至二季度约 13%，三季度有望达约 24%，四季度约 34%。若进展持续，明年一季度 1c 占比或升至约 35%，首次超过 1b 并成为主力工艺。

据材料行业消息人士 9 月 2 日透露，台积电短期不会把 HBM 与 AI 加速器之间的封装连接切换为混合键合，仍沿用传统微凸块技术。更细间距微凸块预计沿用至 HBM4 后期及 HBM5 早期；5μm 级凸块量产定在 2028 年下半年，日韩供应商已开始相关开发。

Hot Chips大会上，三星与SK海力士都把HBM竞争重心指向系统协同设计，但路线明显分化。三星提出三阶段路线图，试图把基础芯片从被动通道变成主动计算部分，并以zHBM为终点；SK海力士则围绕12层、16层及更高堆叠推进量产、验证与混合键合研发，同时用iHBM处理热点与热阻问题。美光则把焦点放在AI“内存墙”扩大、HBM封装复杂度和可靠性成本上。

SK海力士于北京时间7月10日在纳斯达克挂牌交易，盘中涨幅一度超过18%，收盘市值达1.22万亿美元。本次通过ADR发行募资265亿美元，创下海外企业赴美IPO最大规模纪录，仅次于上月上市的SpaceX。公司从现代电子起步，经历债务危机、SK集团接手后押注HBM，并在AI带动下成为英伟达H100主要供应商。报道还提到，长鑫科技将于7月16日开启新股申购，国内存储赛道也进入IPO窗口。