Hot Chips大会上，三星与SK海力士都把HBM竞争重心指向系统协同设计，但路线明显分化。三星提出三阶段路线图，试图把基础芯片从被动通道变成主动计算部分，并以zHBM为终点；SK海力士则围绕12层、16层及更高堆叠推进量产、验证与混合键合研发，同时用iHBM处理热点与热阻问题。美光则把焦点放在AI“内存墙”扩大、HBM封装复杂度和可靠性成本上。

在美国加州圣塔克拉拉举行的2026 FMS Conference上，SK海力士与SanDisk公布HBF初步规格与路线图。首版规格最高容量达512GB，频宽约0.4 TB/s至3.0 TB/s，并采用UCIe连接处理器。SanDisk还展示了在特定AI推论情境下的测试案例，HBF被定位为介于HBM与传统NAND之间的新内存层级。

MarsBit刊文称，AI Agent正把存储从任务结束后的落盘环节，推向感知、记忆与决策循环。文章认为，未来SSD可能演化为具备加密、压缩、索引、记忆维护和上下文服务能力的功能型产品，并在端侧与云侧形成不同分工。与此同时，HBM、HBF、DRAM/CXL与SSD不会简单替代，而会围绕速度、容量、成本和治理需求重新分层。

PANews文章称，2026年8月4日存储行业出现两项关键进展：SK海力士与闪迪在FMS 2026发布高带宽闪存HBF首个标准规范，英伟达则被曝正评估下调Rubin Ultra的HBM配置。文章认为，AI基础设施的核心瓶颈正从单卡内部内存带宽，转向机架与芯粒层面的互联，光电互联、先进封装、HBM、HBF与CXL的价值排序也随之调整。

SK 海力士与闪迪通过 OCP 发布首份 HBF 技术规范，明确了容量、带宽和接口标准。HBF 的定位不是替代 HBM，而是在 HBM 与 SSD 之间增加一层更靠近 xPU 的存储。文章认为，MoE 模型可能成为首批应用场景，但 HBF 相关产品仍处在送样前阶段，短期更应关注闪迪财报、NAND 价格、数据中心业务、利润率和企业级 SSD 进展。

SK海力士在 FMS 2026 大会上宣布，已与 Sandisk 联合发布首个 High Bandwidth Flash（HBF）标准规范，距离双方今年 2 月成立联盟约 6 个月。该标准已通过 OCP 公开，覆盖最高 512GB 容量、最高约 3.0TB/s 带宽及 UCIe 互联接口等关键规格。Google 和 Tenstorrent 已确认加入 HBF 联盟。SK海力士还首次展示第十代 V10 375 层 4D NAND 晶圆及产品，称其能效较前代提升 2.5 倍，预计明年初量产。