三星电子在 SEMICON Taiwan 2026 展前峰会的 Memory Executive Summit 上公开代号为 CUBE 的 3D 内存战略，由副总裁 Choi Jang-seok 说明容量、利用率、带宽与能效四项核心目标。公司同时给出 HBM5、zHBM 与 zNAND-O 的路线图，其中 HBM5 目标性能较 HBM4E 提升 2 倍，zHBM 目标提升至 8 倍，zNAND-O 则面向大型语言模型的高密度存储需求。

FMS 2026 于 8 月 4 日至 6 日在美国圣克拉拉举行，SK 海力士、三星和铠侠围绕 AI 系统中的存储瓶颈分别给出不同方案。SK 海力士与闪迪通过 OCP 发布 HBF 首个标准规格，三星展示 400 层以上 BV-NAND 并预览 zHBM 与 zNAND-O，铠侠则将直接冷板液冷引入企业级 SSD。报道还提到，三星 HBM 月产能计划从约 17 万片晶圆提升至约 25 万片，目标在 2026 年底实现。

8月4日至5日，加密市场消息密集出现。SpaceX披露二季度营收78亿美元，持有的18,712枚比特币因币价下跌出现约5.4亿美元账面浮亏；Coldcard继续敦促用户迁移资金，Galaxy称攻击者至少15人；韩国交易所同步上线QUID，机构质押、RWA、BIP-110与多起链上大额交易也在推进。

三星电子在美国加州圣克拉拉举行的 FMS 大会上推出 V10 Bonding V-NAND（BV-NAND）原型，芯片层数超过 400 层。公司称，该技术较上一代 V9 NAND 将存储密度提高约 58%，并提升读取、写入和输入/输出性能。同时，三星还展示 zHBM 与 zNAND-O 概念模型，其中 zHBM 采用将存储垂直堆叠于 AI 加速器之上的设计。