中科管理局 9 日证实，台积电中科扩建二期 1.4 纳米建厂进度全面加快。P1 厂已完成钢构结构体，预计明年 4 月试机、明年下半年量产，较原订 2028 年量产时程提前。P2 厂已展开基础建设，P3、P4 厂则分别处于取得与申请建照阶段，四座新厂全部完工投产后，总员工数预计达 9000 至 1 万人。

长江存储控股股份有限公司科创板 IPO 审核状态已由“已受理”变更为“已问询”，距 8 月 21 日获受理仅 13 天。公司拟募资 330 亿元，刷新科创板拟募资纪录。按 Counterpoint Research 数据，长存控股 2026 年第二季度全球 NAND 位元出货量份额达 14%，位列全球第三。招股书显示，公司正推进产能扩建，二期生产线已满产，募资将投向量产线技术升级和研发项目。

SK集团会长崔泰源在日本仙台受访时表示，SK海力士正评估在日本设立内存合资厂，但未透露地点与合作伙伴。韩媒称，公司正推动在宫城县投入数十兆韩元兴建内存晶圆厂，当地已提出仙台近郊约 30 万平方米土地方案，并配套用水与电力设施。SK海力士随后公告称，目前仍在检讨增设生产基地等多种方案，尚无确定事项，预计最晚一个月内再行说明。

安世中国称，在去年 9 月底遭遇境外 6—8 英寸晶圆断供后，公司用 11 个月将三条产品线落地到 12 英寸晶圆平台，并把国产化比例从不足 20% 提升到 100%。8 月 22 日，安世中国发布多款基于 12 英寸晶圆研发的功率半导体产品，同时宣布建立库存供货储备。公司还披露，部分成熟制程车规级芯片良率达到 99%，主流产品交付周期压缩至 4—6 周，并对部分功率 MOS、逻辑产品实施降价销售。

四川半导体设备核心零部件供应商超纯应材8月11日正式在深交所上市，发行价为65.99元，募资总额约16.8亿元，超过原拟募资金额。上市首日，该股开盘报450元，截至10点20分39秒报498元，较发行价上涨654.66%，总市值达507.19亿元。公司主营半导体设备特殊涂层零部件和精密光学器件，2023年至2025年营收合计超过9亿元，兄弟二人柴杰、柴林合计持股居前。

瑞银将台积电目标价从3000元上调至3400元，维持“买入”评级，并上修2026年销售增长预期，判断AI芯片需求将支撑未来数年扩张，2027年初或出现新一轮涨价。

SK海力士宣布计划通过ADR在纳斯达克上市，目标筹资294亿美元，超越阿里巴巴纪录。资金将全数投入AI芯片与HBM产能扩建，预计7月10日交易。

长鑫科技 7 月 15 日在科创板上市网上投资者交流会上表示，公司 2023 年至 2025 年收入快速增长，主要由产能扩建、产能释放和产能爬坡带动。董事长朱一明称，持续技术投入和自主创新推动工艺平台迭代，带来单片晶圆产出增加。公司还披露，2023 年至 2025 年主要 DRAM 产品销量的年均复合增长率达到 83.98%，市场整体呈供不应求状态。