黄仁勋在 All-In 峰会上表示，中国到 2030 年就能做出自己的先进光刻系统。他还提到，一旦技术成熟，中国具备很强的大规模生产能力，国产设备进入本土晶圆厂只是时间问题。相比之下，蔡司半导体负责人 Frank Rohmund 近期称，中国若要做出国产 EUV 光刻机，可能还需要约 15 年。原提问与黄仁勋的回答都未明确限定为 EUV。

NVIDIA CEO 黄仁勋在 All-In Summit 近 50 分钟对谈中，围绕 AI 安全、开源模型、中美 AI 竞争、数据中心、自动驾驶和中国半导体发表看法。他反对把 AI 毁灭文明包装成「科学预测」，主张出事先做工程层面的 root cause 分析，而非直接叫停发展。他还称过去 6 个月约有 4,000 亿美元风投资金流入 AI-native 公司，其中约 80% 使用开放模型；在被问及中国先进光刻系统进展时，他给出的时间点是 2030 年。

7月28日市场与科技动态集中在半导体、AI与加密监管。长鑫科技上市首日收涨465.82%，成交额超1400亿元，总市值达3.28万亿元，并刷新多项A股纪录；The Information称一家上海国资背景企业已开始量产自主研发DUV光刻机设备，计划在2026年和2027年扩大产量，长鑫存储、中芯国际、华虹半导体被提及为潜在交付对象；加密市场方面，CEX热门币种多数下跌，AEON领涨24小时涨幅榜；监管层面，美国参议院暂缓推进CLARITY法案，日本议员则建议放宽加密货币2倍杠杆上限。

Citrini 分析师 Jukan 表示，中国在 DUV 光刻技术上的进展并不令人意外，市场此前已形成一定预期。他称，The Information 的报道主要援引一名中国交通大学教授在 6 月内部会议上的发言，未披露更多实质性信息。Jukan 认为，受该消息影响，ASML 等半导体设备股出现的抛售属于反应过度。

据 The Information 援引知情人士消息，一家获得中国国有资本支持的企业已启动自主研发 DUV 光刻机制造设备量产，计划 2026 年生产约 5 台、2027 年扩大至约 20 台。报道提到，这批设备拟交付中芯国际、华虹半导体和长鑫存储等厂商，其中长鑫存储预计将成为重要应用方。

Odaily 报道称，Citrini 分析师 jukan 在 X 平台转述 Goldman Sachs 与一位中国 DRAM 行业专家的交流内容。该专家认为，中国供应商的 DRAM 价格可与全球龙头相当，但良率可能更低；中国 DRAM 厂商或在 2027 年于 3D DRAM 产品开发上取得进一步进展，合肥、上海和北京推进的产能扩张预计将在 2028 年全面投产。

ASML公布第二季度业绩，期内售出86套光刻系统，其中包括16台EUV设备；季度净销售额为93亿欧元，净利润29亿欧元。公司还将2026年全年收入预期上调至430亿至450亿欧元，并计划在2027年把低数值孔径EUV设备产能提升30%。

三星电子已为代工业务安装两台 High NA EUV 光刻系统，但暂未投向量产产线。公司当前更看重代工部门在今年第四季度重返盈利的可能，避免高额折旧和运营成本拉长亏损期。与此同时，三星 2 纳米良率据报约为 55%，接近稳定量产常见的 60% 门槛，显示其保守态度更多出于财务考量。