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内存产业

美光
2026-09-15 08:37:23

台湾美光工会要求 15% 分润方案,9 月 21 日前无结果将启动罢工投票

台湾美光工会与桃园市产业总工会表示,美光对外宣称的「最高 68 个月」奖金并不等于每名员工都可领取,相关数字是将底薪、现金与未来多年兑现的股票合并换算而来。工会要求资方在 9 月 18 日与 21 日两场调解会议上提出制度化的营业利益 15% 分润方案,否则将启动罢工投票程序。工会同时指出,桃园、台中两厂区此前的罢工意向投票已有约 8 成同意,但正式罢工仍须经过会员直接、无记名投票且过半数通过。

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台湾美光工会要求 15% 分润方案,9 月 21 日前无结果将启动罢工投票
美光
2026-08-28 05:53:12

美光台湾两大工会启动调解,最快 9 月或发起罢工投票

美光晶圆(桃园)企业工会与美光内存(台中)企业工会已因绩效奖金制度争议启动劳资调解,原因包括现行 IPP 机制不透明、发放水平低于同业。两场调解分别安排在 8 月下旬和 9 月中旬,若协商失败,最快 9 月将举行罢工投票。工会称,目前约有 80% 会员支持罢工行动,两会合计会员约 1 万人。

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美光台湾两大工会启动调解,最快 9 月或发起罢工投票
内存ETF
2026-08-24 05:40:16

内存 ETF 指南:DRAM 的成分、费用与风险

AI 带动高频宽内存需求升温,也让聚焦 DRAM、NAND 与 HBM 产业链的内存 ETF 受到关注。ABMedia 介绍,美股挂牌的 Roundhill Memory ETF 代码为 DRAM,持股约 23 档,三星电子、美光与 SK 海力士合计权重约七成。与 SMH、SOXX 相比,DRAM 聚焦更集中,费用率约 0.65%,也面临更高的循环、集中与波动风险。

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内存 ETF 指南:DRAM 的成分、费用与风险
摩根士丹利
2026-08-09 02:32:40

大摩分析师转向看多三星与 SK 海力士,称上行空间均超 60%

摩根士丹利半导体首席分析师 Shawn Kim 在最新报告中撤回 7 月的偏空判断,认为内存板块最剧烈的调整阶段已接近尾声。报告将近期回调归因为去杠杆、获利了结与价格增速见顶,而非基本面反转,并指出行业估值已降至约 3 倍未来 12 个月预估市盈率。该行预计 2026 年第四季行业进入周期后段,同时维持对 SK 海力士与三星电子的看涨评级,称两者相对当前股价的潜在涨幅都超过 60%。

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大摩分析师转向看多三星与 SK 海力士,称上行空间均超 60%
铠侠
2026-08-04 06:37:27

铠侠推8000亿日元回购后股价走强,SK海力士静待ADR静默期结束

日本存储芯片厂商铠侠在公布低于预期的第二季财报与全年展望后,同时宣布最高 8000 亿日元股票回购和 1 拆 3 股份分割,带动股价连续两日上涨。另一边,SK 海力士虽在 7 月 31 日交出亮眼 Q2 财报,但在 ADR 于美国挂牌后仍受 SEC 25 天静默期限制,市场关注其能否在南韩时间 8 月 4 日深夜后公布更明确的股东回馈方案。

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铠侠推8000亿日元回购后股价走强,SK海力士静待ADR静默期结束
铠侠
2026-08-03 01:29:23

铠侠宣布 8000 亿日元回购与 1 拆 3 分股,股价涨 10%

日本闪存厂商铠侠发布最新财报后,宣布总额最高 8000 亿日元的股票回购计划,并推进 1 拆 3 股票分割。公司称上季营收、营业利润均创历史新高,受 AI 数据中心 SSD 需求带动。尽管业绩略低于市场最乐观预期,且主要股东减持引发股价此前大幅回调,回购与分股消息仍推动铠侠股价当日上涨 10%。

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铠侠宣布 8000 亿日元回购与 1 拆 3 分股,股价涨 10%
台股
2026-07-29 03:38:00

台股盘中失守 40000 点,财长称国安基金暂未达进场条件

台股在全球 AI 半导体股下跌带动下连续走弱,7 月 29 日盘中一度跌破 40000 点,截稿前报 39900 点。财政部长庄翠云在立法院表示,国安基金相关人员持续监控,但目前尚未达到进场条件。电子和半导体板块成为跌势中心,内存股受 SK 海力士 2026 年第二季财报低于预期及融资筹码压力拖累,出现大面积跌停。

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台股盘中失守 40000 点,财长称国安基金暂未达进场条件
长鑫存储
2026-07-28 04:39:56

高盛称内存行业遇新压力:长鑫存储 DRAM 产能到 2030 年或翻倍

长鑫存储在科创板挂牌首日股价较发行价上涨 472%,盘中隐含市值一度突破 5,000 亿美元,短暂超过英特尔。高盛在 7 月 24 日召开的闭门专家会上预计,到 2030 年中国 DRAM 产能将较当前水平翻倍,本土设备渗透率明显提升。报告还提到,长鑫存储计划在 2026 年量产 HBM3 和 HBM3E,3D DRAM 预计于 2027 年迎来研发突破。

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高盛称内存行业遇新压力:长鑫存储 DRAM 产能到 2030 年或翻倍