三星高管称明年 HBM 或占 DRAM 晶圆产能近 30%

据财联社援引媒体当地时间 9 月 29 日报道，三星电子执行副总裁 Kim Taewoo 表示，预计明年 HBM 将占 DRAM 厂商晶圆总产能的近 30%，目前这一比例约为 20%。

他提到，HBM 与传统 DRAM 争夺同一批晶圆产能，HBM 产出扩大后，传统 DRAM 的供应可能受到挤压。

TrendForce：2027 年存储供应仍将偏紧

TrendForce 此前预测，到 2027 年底，全球三大 HBM 供应商的 HBM 晶圆投入，约占 DRAM 晶圆总投入的 30%；但如果按存储容量计算，仅能贡献约 13% 的 DRAM 总供应量。

TrendForce 同日表示，AI 服务器需求持续，HBM 与通用 DRAM 仍将共享有限的先进制程产能，2027 年存储供应将维持偏紧。

在这一判断基础上，TrendForce 上调了 2027 年 HBM 价格预期，预计其混合平均售价将同比上涨 121%。

三星 HBM4 量产与样品进展

另据媒体 9 月 20 日报道，三星已于今年 2 月开始量产出货 HBM4，并在 5 月向包括英伟达在内的客户提供 12 层 HBM4E 样品。

业内预计，三星 HBM 月均晶圆投入量将从今年约 18 万片，增至明年约 25 万片。

8 层 HBM 或成 2027 年优先评估方案

TrendForce 还表示，受供应有限和系统成本上升影响，8 层 HBM 预计将成为 2027 年多家厂商优先评估的方案。

按其说法，8 层 HBM 的每 Gb 售价预计将比 12 层产品高约 10% 至 20%。