三星开发8层HBM4E满足英伟达定制要求

BlockBeats 消息，8月28日，据《首尔经济日报》报道，三星电子正按照英伟达的要求，开发8层HBM4E产品，计划用于英伟达定制的专用高带宽存储器NVHBM。与三星原本准备的12层、16层方案相比，8层设计减少了堆叠层数。

8层设计：降低难度，提升供应

英伟达为这款产品设定的目标速度为17至18Gbps，比三星早期HBM4E样品的14.4Gbps高出约20%。更少的层数可降低晶圆减薄、精密堆叠及后端封装的难度，减轻良率压力并提高供应能力。

NVHBM 或首发于 Rubin Ultra

NVHBM可能从预计明年推出的Rubin Ultra AI GPU开始应用。Rubin Ultra的GPU互连规模将由现有72颗扩大至最多576颗，以更多高速GPU的协同来弥补单颗GPU存储容量的下降。

三星的一站式定制能力

三星同时具备DRAM、逻辑芯片以及基础裸片的设计和生产能力，能够为定制HBM提供一站式服务。业内人士认为，三星已在HBM4上展现了较高的传输速度；在英伟达将竞争重点由高堆叠转向高速传输之后，三星的相关能力可能获得更多关注。