三星为英伟达开发 HBM4E 8 层产品，瞄准 NVHBM 核心供应

据首尔经济报道，三星电子正开发符合英伟达要求的 HBM4E（第七代）8 层产品，争取拿下其定制高带宽存储器 NVHBM 供应中的核心合作伙伴地位。

报道提到，这款产品相较三星原计划的 12 层和 16 层方案，降低了堆叠高度。英伟达提出的速度规格为 17-18Gbps，较三星早期 HBM4E 样品的 14.4Gbps 高出约 20%，将用于英伟达公开的 NVLink 优化规格 NVHBM。

8 层方案指向供应扩张

与以往通过增加堆叠层数提升容量的 HBM 竞争思路不同，8 层方案反向降低层数。报道认为，这样做可以降低后工序难度和良率压力，有利于扩大供应，也被视为英伟达缓解内存短缺的策略之一。

Rubin Ultra 或率先采用

报道称，NVHBM 有望自明年推出的下一代 AI GPU「Rubin Ultra」开始应用。该 GPU 将 GPU 间连接规模从 72 个最高扩至 576 个，通过搭载更快 HBM 的数百个 GPU 协同运作，提升整体算力。

三星被指在定制 HBM 更具竞争力

在定制 HBM 市场，报道指出，三星相较 SK 海力士和美光更具竞争力，因为 NVHBM 需要同时具备 DRAM 与基于逻辑芯片的基裸片设计和生产能力，三星可以一体化应对。

另据业界人士说法，三星已在 HBM4 验证中实现业界最高水平速度，或可在后续速度竞争中占据优势。