台积电与三星承诺采用 ASML 新一代 High NA EUV 设备
Techub News 消息称,台积电与三星电子已承诺采用阿斯麦最新的 High NA EUV 高数值孔径极紫外光刻设备,用于先进芯片制造。报道指出,这一安排是为了应对人工智能发展带来的需求,即市场对更小、更复杂半导体的需求持续增长。消息引述 CNBC。

Techub News 消息称,台积电与三星电子已承诺采用阿斯麦最新的 High NA EUV 高数值孔径极紫外光刻设备,用于先进芯片制造。报道指出,这一安排是为了应对人工智能发展带来的需求,即市场对更小、更复杂半导体的需求持续增长。消息引述 CNBC。

ASML宣布将与主要客户合作开发新方案,以满足英伟达等公司的大型数据中心芯片需求。目前EUV光刻机可制造最大800平方毫米芯片,下一代高数值孔径EUV受限于掩模版尺寸。ASML计划2031年展示试验线,2033年实现量产。

中国于 7 月 10 日禁止氦气出口,政策背景是全球氦气供应在 2025 年持续收紧。氦气是先进芯片制造中的关键特气,涉及刻蚀散热、检漏、吹扫和精密设备热管理,电子级产品纯度最高需达 99.9999%。卡塔尔生产枢纽受袭、俄罗斯收紧出口许可、美国清空联邦氦储备,共同推高了供给风险。中国氦气对外依存度达 84.4%,在进口承压之际仍有出口流出,禁令被官方表述为保障国内供应。

以色列国家人工智能署负责人证实,正游说台积电、三星电子和英特尔赴当地建设 2 纳米以下先进晶圆厂,并提出 5 年内打造 10 万颗 GPU 规模数据中心的计划。彭博社称,相关布局意在提升以色列在 AI 竞赛中的位置,但当地电力承载能力和先进制程投资难度,仍是推进中的现实约束。

前英特尔 CEO 季辛格出任 xLight 执行董事长,美国政府已通过 CHIPS 法案直接持股。该公司正洽谈 3.5 亿美元融资,试图以自由电子激光技术切入 EUV 光源。

瑞银将台积电目标价从3000元上调至3400元,维持“买入”评级,并上修2026年销售增长预期,判断AI芯片需求将支撑未来数年扩张,2027年初或出现新一轮涨价。

台积电公布 2026 年第二季财报后表示,海外晶圆厂陆续投产将在未来数年持续稀释毛利率,初期约 2 到 3 个百分点,后期可能扩大到 3 到 4 个百分点。公司当季毛利率达 67.7%,税后净利年增 77.4% 至新台币 7,066 亿元。晨星估算,美国生产成本较台湾高 20% 到 50%;报道还提到,台积电计划自 2027 年初上调晶圆代工价格。

台积电表示,在特朗普政府推动先进芯片制造回流美国的背景下,海外产能扩张正在抬高生产成本,并将在未来几年持续压缩利润率。公司自特朗普 2025 年重返白宫以来已宣布累计向美国投资 2000 亿美元。虽然台积电第二季度净利润同比增长 77.4%,毛利率升至 67.7%,但管理层预计海外晶圆厂投产初期将带来约 2% 至 3% 的毛利率压力,后期可能扩大至 3% 至 4%。
