HBM

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2026-08-25 01:13:19

HBM走到架构分岔口：三星押注zHBM，SK海力士推进更高堆叠

Hot Chips大会上，三星与SK海力士都把HBM竞争重心指向系统协同设计，但路线明显分化。三星提出三阶段路线图，试图把基础芯片从被动通道变成主动计算部分，并以zHBM为终点；SK海力士则围绕12层、16层及更高堆叠推进量产、验证与混合键合研发，同时用iHBM处理热点与热阻问题。美光则把焦点放在AI“内存墙”扩大、HBM封装复杂度和可靠性成本上。

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SK海力士

2026-08-24 14:13:39

SK海力士与SanDisk在FMS公布HBF首个标准规格

在美国加州圣塔克拉拉举行的2026 FMS Conference上，SK海力士与SanDisk公布HBF初步规格与路线图。首版规格最高容量达512GB，频宽约0.4 TB/s至3.0 TB/s，并采用UCIe连接处理器。SanDisk还展示了在特定AI推论情境下的测试案例，HBF被定位为介于HBM与传统NAND之间的新内存层级。

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a16z

2026-08-24 14:05:43

a16z称AI Agent半年用量暴增14倍，企业Token消耗分化加剧

a16z最新一期《Charts of the Week》指出，AI Agent的Token消耗已接近普通人类用户的5倍，自今年2月以来使用量增长约14倍。a16z同时引用OpenAI数据称，企业AI使用呈现明显分化，前10%企业与典型企业的Token输出差距约8倍。文章还提到，重度使用企业对Plug-in和Skills的采用更高，法律行业的Codex采用率也出现大幅增长。

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美光

2026-08-24 09:01:57

美光警告 AI 算力增速快于 HBM，内存墙仍在恶化

美光在 Hot Chips 2026 表示，AI 加速器运算性能每两年约提升 3 倍，但 HBM 频宽同期增长不到 2 倍，计算与存储之间的缺口仍在扩大。该公司称，HBM 已成为连接计算单元与内存的关键桥梁，但也带来更高的硅成本、散热与可靠性压力。美光认为，破解内存墙的方向是打破计算与内存边界，转向 SiP、光学互连与更先进封装。

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三星电子

2026-08-24 08:55:08

高盛称三星电子回报不及预期，FCF扩张支撑估值修复

高盛8月23日研报称，三星电子2026年股东回报池预计为90万亿至110万亿韩元，低于此前市场对更高回报规模的预期。高盛维持三星普通股“买入”评级，目标价49万韩元。报告认为，真正支撑估值修复的是FCF持续扩张和稳定返还机制，而不是单次回报规模。

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内存ETF

2026-08-24 05:40:16

内存 ETF 指南：DRAM 的成分、费用与风险

AI 带动高频宽内存需求升温，也让聚焦 DRAM、NAND 与 HBM 产业链的内存 ETF 受到关注。ABMedia 介绍，美股挂牌的 Roundhill Memory ETF 代码为 DRAM，持股约 23 档，三星电子、美光与 SK 海力士合计权重约七成。与 SMH、SOXX 相比，DRAM 聚焦更集中，费用率约 0.65%，也面临更高的循环、集中与波动风险。

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高盛

2026-08-24 05:21:11

高盛首次覆盖长鑫科技：买入评级与 129 元目标价押注扩产与 HBM

高盛在 8 月 23 日发布的报告中首次覆盖长鑫科技，给予「买入」评级和 129 元 12 个月目标价。其核心判断是，中国 AI 算力建设、国产替代和客户供应链多元化将推高本土 DRAM 需求，长鑫月产能有望从 2026 年的 27 万片增至 2030 年的 66.5 万片。高盛还预计，长鑫到 2028 年的供应量或覆盖中国约 50% 的 DRAM 需求，HBM 收入占比则将从 2026 年的 2% 升至 2030 年的 27%。不过，这一模型同时依赖扩产、良率、客户验证、DRAM 价格和利润率改善等多重假设。

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SK海力士

2026-08-24 01:16:47

SK海力士为下一代 HBM 引入先进封装，计划迈向 3D 封装

SK 海力士正为下一代 HBM 方案引入包括英特尔 EMIB 在内的先进封装技术，并计划最终进入 3D 封装阶段。公司在 2026 年 Hot Chips 大会上披露，将通过混合键合、增加 TSV 数量、提升逻辑工艺集成的 IO 速度及优化 PDN，推进 HBM 路线图并应对 16 层堆叠与功耗问题。截至发文时，SK 海力士韩股上涨 1.71%。

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