SK 海力士批准 380 亿美元扩产,押注英伟达 AI 需求
SK 海力士董事会已批准约 54.3 万亿韩元、约合 380 亿美元的投资计划,用于扩大韩国境内 DRAM 和 NAND 产能。分析称,这笔大规模扩产的核心驱动力来自英伟达对高端 AI GPU 所需 HBM 的持续需求。外界对其集中押注英伟达 AI 硬件前景存在分歧。

SK 海力士董事会已批准约 54.3 万亿韩元、约合 380 亿美元的投资计划,用于扩大韩国境内 DRAM 和 NAND 产能。分析称,这笔大规模扩产的核心驱动力来自英伟达对高端 AI GPU 所需 HBM 的持续需求。外界对其集中押注英伟达 AI 硬件前景存在分歧。

Citrini分析师Jukan在X平台引述韩国媒体报道称,三星已将HBM4良率提升至80%,较2月量产初期不足60%明显改善。报道称三星决定将第三季度HBM4营收环比提高逾3倍,并推动HBM4下半年占HBM总营收比例超过60%。此外,三星还设定了年末HBM市场份额目标,约相当于其DRAM市场份额的38%。

BlockBeats 消息,三星电子 HBM4 良率已接近 80%,较原定目标提前约 4 个月。公司计划将三季度 HBM4 营收提升 3 倍以上,并将 HBM4 在下半年整体 HBM 营收中的占比提高至 60% 以上,目标年底前将 HBM 市场份额提升至约 38%。供应增加将利好英伟达 Vera Rubin 加速器生产。

摩根大通认为,市场对SK海力士股价下跌的担忧过度,股东回报计划提前至三季度末公布及HBM合同价格更新有望改善中期情绪。预计未来3年自由现金流超800万亿韩元,并计划投资54万亿韩元建设基础设施。关于HBM4定价低50%的报道,摩根大通称不准确,预计2026年HBM价格同比涨幅低于40%。

摩根士丹利半导体首席分析师 Shawn Kim 在最新报告中撤回 7 月的偏空判断,认为内存板块最剧烈的调整阶段已接近尾声。报告将近期回调归因为去杠杆、获利了结与价格增速见顶,而非基本面反转,并指出行业估值已降至约 3 倍未来 12 个月预估市盈率。该行预计 2026 年第四季行业进入周期后段,同时维持对 SK 海力士与三星电子的看涨评级,称两者相对当前股价的潜在涨幅都超过 60%。

IOSG 在一篇关于存储赛道的长文中指出,AI 时代推动资本重新定价存储,核心逻辑已从传统容量生意转向热数据效率。文章将 AI 存储拆分为 HBM、DRAM 与 CXL、企业级 SSD、HDD 及存储软件栈等层级,并称去中心化存储更适合公共数据集存证、AI 训练数据溯源与长期冷记忆归档。文中同时比较了 Filecoin 与 Arweave 的不同路径,并梳理了去中心化存储在产品化、检索体验、企业服务与 Token 激励上的现实挑战。

SK海力士正筹备总规模约100万亿韩元(约710亿美元)的股东回报方案,其中股票回购约40万亿韩元,占已发行股份逾2%,规模较去年增长约7倍。公司预计今年营收345.6万亿韩元、营业利润266.4万亿韩元,同比增约256%和464%,HBM领先地位是底气。汇丰认为,该计划可能成为估值改善的重要因素。

Citrini分析师Jukan在X平台表示,市场短期或需采取“做空存储、做多光模”策略,部分对冲基金已开始布局。理由包括:韩国杠杆ETF赎回压力或带来额外卖盘;英伟达调整架构或降低HBM配置并强化光互连;存储价格可能未来两季度见顶。长期仍看好存储行业,但短期偏谨慎,资金或从存储转向光通信。
