韩方评估称中国存储芯片追赶加快:NAND 差约 1 年,DRAM 约 2 年
韩国半导体产业协会最新评估称,中国存储芯片厂商与领先厂商的技术差距正快速收窄。长江存储在 NAND 闪存方面被指仅落后约 1 年,长鑫存储在 DRAM 和 HBM 方面分别落后约 2 年和 3 年。报道还提到,长鑫存储正推进 HBM3E、HKMG 与新晶圆厂建设,长江存储也在扩充产能。

韩国半导体产业协会最新评估称,中国存储芯片厂商与领先厂商的技术差距正快速收窄。长江存储在 NAND 闪存方面被指仅落后约 1 年,长鑫存储在 DRAM 和 HBM 方面分别落后约 2 年和 3 年。报道还提到,长鑫存储正推进 HBM3E、HKMG 与新晶圆厂建设,长江存储也在扩充产能。

界面新闻 9 月 15 日报道称,苹果已接受三星电子 2027 年第一季度手机内存报价,DRAM 接近每 Gb 2.0 美元,NAND 接近每 Gb 0.33 美元,较今年第三季度上涨 30% 至 40%。报道提到,这一涨幅明显高于此前韩媒披露的 7% 至 10%,也令 Android 厂商的议价空间继续收窄。TrendForce、Omdia 与瑞银的数据则显示,HBM 和服务器产品持续占用产能,消费级内存供需缺口仍在扩大。

联发科公告 2026 年 8 月合并营收为新台币 641.83 亿元,月增 32.41%、年增 44.08%,创单月新高,前 8 月累计营收达 4,139.91 亿元。公司将于 9 月 15 日发布天玑 9600 系列,其中天玑 9600 Pro 首次导入台积电第二代 2 纳米 N2P 制程。ABMedia 报道称,NVIDIA 9 月初以 35 亿美元认购联发科海外可转债,花旗则将目标价上看 6,800 元。

据 Chip Briefing 引述《朝鲜日报》9 月 9 日报道,长鑫存储 8 层堆叠 HBM3 整体良率约为 25%。报道拆解称,其前段制程良率约三成,进入后段封装测试后约七成可通过最终检验,两者相乘后得出整体良率。报道同时提到,产业通常将 80% 视为可量产门槛,而 SK 海力士自 2022 年量产 HBM3 以来良率维持在 90% 以上。

长鑫存储上半年营收年增873.6%,毛利率84.84%。LPDDR6量产首发于小米折叠机,苹果合作仅待美方放行,国产DUV光刻机验证推进,HBM路线未明。客户集中但风险可控。

深圳存储芯片公司江波龙9月8日在港交所上市,发行价为每股236港元,开盘持平,10点股价报233.2港元,总市值1071.92亿港元。招股书显示,公司2026年上半年营收240.88亿元,同比增长136.3%,归母净利润105.77亿元,同比增长71528.66%。募资净额约60.202亿港元,主要投向研发、战略投资或收购及营运资金。

长鑫存储官方宣布自研LPDDR6芯片已量产商用,首发搭载于小米18Fold折叠旗舰手机,这是全球LPDDR6首次在旗舰手机端商用。芯片峰值速率12800Mbps,最高16GB容量,较上一代全面升级。LPDDR6被视为端侧AI算力关键支柱,覆盖手机、PC、智能座舱等场景。

中兴努比亚宣布推出全球首款AI智能体手机NaviX Ultra,搭载豆包手机助手,9月16日正式发布。该机通过一句话指令实现从工具到智能助手的进化。新品即日起开启全网预约,并搭载长鑫国产高速率LPDDR5X内存(10667Mbps),首次量产应用。
