京都大学宣布研发出可在 600°C 下稳定运行的碳化硅晶体管，突破传统硅芯片约 250°C 以上即失效的限制。该方案采用底部栅极设计与双阱隔离结构，分别解决离子注入带来的阈值电压漂移和高温漏电问题，并与现有商业晶圆厂制造流程兼容。研究团队称，这项技术面向航天探测、燃气轮机和极端环境电子设备，后续仍需攻克常闭型器件设计与高温封装可靠性。

2026年下半年，海外头部半导体厂商财报回暖，产业链库存回落，Tier1订单修复，汽车半导体被多家投行判断进入结构性上行通道。英飞凌、恩智浦等库存周转天数降至120—140天，车规功率器件交付周期拉长至30周以上，部分产品已开启第二轮涨价。

台达电据报与德国英飞凌签订长期供货协议，规模达 20 亿美元，涵盖碳化硅等关键功率半导体材料。报道称，这是台达电自 COVID-19 疫情以来首次签下原料长约。市场将此举与英伟达 800VDC 电力架构布局联系起来，认为有助于回应此前关于出货进度延后的传闻。

X平台分析师Serenity列出AAOI、SIVE、FOCI、讯芯科技为AI光子股首选，X-FAB为备选，并围绕光通信与CPO供应链给出判断。

露笑科技7月7日晚公告终止2021年度定增中的两项碳化硅募投项目，并将剩余12.17亿元永久补流，公告后8个交易日股价累计跌近四成。复盘两次定增，公司合计募资净额约31.56亿元，真正投入碳化硅建设和研发的约2.42亿元，其余约29亿元用于补流或还贷。公司同时称将继续以自有或自筹资金推进8英寸和12英寸碳化硅衬底业务，但其产能进展、研发投入以及首席科学家陈之战的相关信披，都引发外界持续关注。

摩根大通发布首份AI数据中心电力半导体全链路分析，核心结论：2028年市场规模将达192亿美元，三年复合增速82%。报告关键发现：传统400V交流供电架构正被800V高压直流架构取代，碳化硅与氮化镓半导体含量占比大幅提升。英伟达Kyber机架（600kW）将成规模部署拐点。同时，电网扩容瓶颈和英伟达定价权构成两大风险。本文梳理报告核心论点、技术路线、玩家格局及投资背景。

摩根大通最新报告指出，AI数据中心电力半导体市场将从2025年的27亿美元激增至2028年的192亿美元，年复合增长率82%。核心驱动力是800V高压直流（HVDC）架构取代传统交流架构，使单瓦半导体含量从175美元升至260美元。碳化硅固态变压器、氮化镓转换器等新型器件将渗透电网到GPU核心的全链路。英飞凌、MPS、瑞萨等12家厂商主导竞争格局，但英伟达的Kyber机架（600kW）将成为2028年规模化部署的催化剂。报告同时揭示电网扩容周期不匹配与英伟达定价权两大风险。

摩根大通发布报告，从第一性原理推演AI数据中心供电链路，预计电力半导体市场将从2025年的27亿美元飙升至2028年的192亿美元，三年复合增速82%。核心驱动力是800V高压直流架构的普及，将显著提升碳化硅和氮化镓等半导体的价值含量。报告详细分析了传统五级供电系统65%的电效率瓶颈，以及800V架构引入的四个新节点，梳理了英飞凌、MPS、Navitas等12家核心供应商的竞争格局，并提醒电网扩容交付周期与数据中心建设速度的不匹配风险。