SK 海力士正为下一代 HBM 方案引入包括英特尔 EMIB 在内的先进封装技术，并计划最终进入 3D 封装阶段。公司在 2026 年 Hot Chips 大会上披露，将通过混合键合、增加 TSV 数量、提升逻辑工艺集成的 IO 速度及优化 PDN，推进 HBM 路线图并应对 16 层堆叠与功耗问题。截至发文时，SK 海力士韩股上涨 1.71%。

台积电先进封装副总裁何军 11 日表示，5.5 倍光罩尺寸 CoWoS 已正式量产，产品良率稳定超过 98%，部分超过 99%。他还称，台积电计划在 2029 年把 CoWoS 推进到 14 倍光罩尺寸，SoIC 键合节距缩至 4.5 微米；在 AI 封装供应链中，ABF 载板将成为继内存之后的关键瓶颈，多源采购也难完全化解问题。

三星电子、SK 海力士和美光科技最新财季业绩创下新高，但股价近一个多月均明显回撤，市场担心存储行业再度陷入“涨价—扩产—过剩—暴跌”的旧周期。公开信息显示，三家公司本轮扩产更集中在 HBM 和 AI 服务器用 DRAM，并通过三至五年期长协、保底价格、照付不议和预付款锁定收入。多家机构和产业人士判断，供需缺口至少延续到 2027 年甚至 2028 年前，真正的变量在于长协覆盖率、新增产能释放时间，以及长鑫科技等新进入者在 2028 年后的影响。

据韩联社8月9日报道，曾在SK海力士中国法人任职的韩国籍前员工金某，因2022年为跳槽华为旗下海思等企业，违规打印拍摄大量CIS芯片机密并写入简历提交中方公司，二审被首尔高等法院判处有期徒刑1年6个月。法院维持一审判决，认定营业秘密泄露罪名成立；混合键合相关指控因技术当时未列入产业通商资源部尖端技术公告范围而获无罪。

铠侠已于 7 月初在日本岩手县北上工厂启动第 10 代 3D NAND BiCS10 量产，并基于该技术推出支持 PCIe 6.0 的数据中心 SSD。市场观点认为，新制程切换初期的良率爬坡成本，可能是铠侠与合作伙伴 SanDisk 本季财测未达预期的原因之一。与此同时，铠侠还计划在今年底量产 UFS 5.0 产品，三星也将在 8 月推进第 10 代 V-NAND 量产。

铠侠今年启动第 10 代 BiCS 10 332 层 3D NAND 量产，推出支持 PCIe 6.0 的数据中心 eSSD CM10，顺序读取性能较前代提升 92%，并计划年底量产 UFS 5.0。TrendForce 数据显示，铠侠一季度全球 NAND 市场份额 13.9%，位列第三。三星已量产 PCIe 6.0 eSSD 和第 10 代 V-NAND，行业分析认为 AI 存储竞争将加剧。

韩国三星电子与 SK 海力士正加快布局 HBM 及下一代存储技术。三星电子称，第二季度研发投入达到创纪录的 16 万亿韩元，约合 116 亿美元，并计划扩大 HBM4、HBM4E、DDR5 等高端存储产品布局。SK 海力士则在开发 HBM5、混合键合和 iHBM，预计今年资本支出将达到 40 万亿韩元，约合 326 亿美元。

SK海力士公布二季度业绩后，尽管营收、营业利润和利润率均创历史新高，市场反应仍偏冷，交易焦点转向“低于预期”与管理层对后续需求、供给和扩产的表述。公司称AI基础设施投资与Agentic AI将继续推高HBM、服务器DRAM和企业级SSD需求，并披露已与约10家客户完成长期协议谈判，2026年资本开支预计处于40兆韩元区间高段。