上交所已受理长江存储科创板 IPO 申请，公司拟募资 330 亿元，超过长鑫科技此前的 295 亿元，刷新科创板拟募资规模纪录。文章对比了长江存储与长鑫科技在 DRAM 与 NAND Flash 两条赛道上的技术路线、市场格局与盈利结构差异，并引述田利辉、李国平的观点，讨论长江存储上市后是否可能重演长鑫科技首日大涨行情。

嘉信理财首席投资策略师 Liz Ann Sonders 表示，英伟达与美光将贡献标普500指数 2026 年盈利增长的三分之一，其中英伟达单独占预期同比增长的 18%，美光的 AI 内存芯片贡献另外 14 个百分点。她还提到，比特币本周突破 80,000 美元、周内涨幅超过 20%，并将这一走势归因于「贬值交易」回归。英伟达将于今日发布财报，市场正关注其对 AI 板块与风险对冲资产交易的影响。

Hot Chips大会上，三星与SK海力士都把HBM竞争重心指向系统协同设计，但路线明显分化。三星提出三阶段路线图，试图把基础芯片从被动通道变成主动计算部分，并以zHBM为终点；SK海力士则围绕12层、16层及更高堆叠推进量产、验证与混合键合研发，同时用iHBM处理热点与热阻问题。美光则把焦点放在AI“内存墙”扩大、HBM封装复杂度和可靠性成本上。

AI 带动高频宽内存需求升温，也让聚焦 DRAM、NAND 与 HBM 产业链的内存 ETF 受到关注。ABMedia 介绍，美股挂牌的 Roundhill Memory ETF 代码为 DRAM，持股约 23 档，三星电子、美光与 SK 海力士合计权重约七成。与 SMH、SOXX 相比，DRAM 聚焦更集中，费用率约 0.65%，也面临更高的循环、集中与波动风险。

WuBlockchain《白线日报》称，AI 基建主线正在从科技公司自有现金流投入，转向外部融资、定制 ASIC 扩张和存储厂商利润兑现。Broadcom 洽谈超过 600 亿美元债务融资，Google 则加深与 Marvell 的定制 AI 芯片合作。与此同时，美光追加 100 亿美元建设 AI 内存研发中心，三星电子与 SK 海力士也把 AI 内存需求转化为更高股东回报。

AI 推理正把存储从配角推向前台。文章指出，随着查询量、多模态数据和 AI agent 带动可访问数据规模上升，NAND 正从传统商品型存储转向 AI 基础设施中的容量层。Sandisk 预计到 2030 年企业数据中心闪存需求将达 1.2 ZB，并推进 HBF、QLC 与长期客户协议，市场关注点也从短期涨价转向更强 bit 需求与更稳的供应纪律。

据《Seoul Economic Daily》报道，三星电子与 SK 海力士正研究推出韩国企业史上最大规模的股东回馈，合计规模上看 200 兆韩元，约合 1413 亿美元，最快 8 月底、最迟 9 月前公布。SK 海力士传出的方案包括 40 兆韩元库存股回购和 60 兆韩元现金股利；三星方面，券商估算区间在 130 兆至 200 兆韩元。消息传出后，8 月 12 日三星与 SK 海力士股价分别上涨 6.68% 与 5.54%。

瑞银在最新报告中维持美光「买入」评级和 1625 美元目标价，称尽管 NAND 短期价格预期下调、存储股近期波动加剧，但 DRAM 尤其 HBM 的供需紧张已超过此前判断。该行上调 2027 年整体 HBM 消耗量预测，并预计 HBM 与 DDR 价格继续走高，同时认为 DRAM 至少到 2028 年二季度仍将供不应求。