高盛在 8 月 23 日发布的报告中首次覆盖长鑫科技，给予「买入」评级和 129 元 12 个月目标价。其核心判断是，中国 AI 算力建设、国产替代和客户供应链多元化将推高本土 DRAM 需求，长鑫月产能有望从 2026 年的 27 万片增至 2030 年的 66.5 万片。高盛还预计，长鑫到 2028 年的供应量或覆盖中国约 50% 的 DRAM 需求，HBM 收入占比则将从 2026 年的 2% 升至 2030 年的 27%。不过，这一模型同时依赖扩产、良率、客户验证、DRAM 价格和利润率改善等多重假设。

技嘉于8月20日发布W775系列桌上型AI超级电脑，旗舰机型搭载NVIDIA GB300 Grace Blackwell Ultra芯片，主打把原本部署在大型数据中心机架中的算力压缩进办公室可放置的落地机箱。该机型最多可支持400人同时发问，峰值吞吐量达9,000 tok/s。公司同时上调全年资本支出预估至280亿至300亿元新台币。

据快科技报道，长鑫存储17nm DDR5芯片良率突破90%，与三星同代产品仅差约2个百分点，技术指标进入全球第一梯队。多家PC厂商年中前后完成认证并小批量搭载。戴尔全面禁用，惠普限中国大陆，宏碁与华硕面向中国及新兴市场。受三星、SK海力士、美光主供LPDDR5影响，长鑫对价格影响有限。

SK 海力士上周股价下跌 15%，跑输 KOSPI 和三星电子，市场焦点集中在 HBM4 定价、股东回报时间表以及 54 万亿韩元资本开支计划。摩根大通在 8 月 9 日研报中称，HBM 定价打五折的报道并不准确，新的股东回报计划最晚将在 9 月底公布，大规模 capex 也主要服务于 2030 年百万片晶圆产能目标。该行维持对 SK 海力士的超配评级，目标价为 275 万韩元。

三星电子、SK 海力士和美光科技最新财季业绩创下新高，但股价近一个多月均明显回撤，市场担心存储行业再度陷入“涨价—扩产—过剩—暴跌”的旧周期。公开信息显示，三家公司本轮扩产更集中在 HBM 和 AI 服务器用 DRAM，并通过三至五年期长协、保底价格、照付不议和预付款锁定收入。多家机构和产业人士判断，供需缺口至少延续到 2027 年甚至 2028 年前，真正的变量在于长协覆盖率、新增产能释放时间，以及长鑫科技等新进入者在 2028 年后的影响。

摩根大通认为，市场对SK海力士股价下跌的担忧过度，股东回报计划提前至三季度末公布及HBM合同价格更新有望改善中期情绪。预计未来3年自由现金流超800万亿韩元，并计划投资54万亿韩元建设基础设施。关于HBM4定价低50%的报道，摩根大通称不准确，预计2026年HBM价格同比涨幅低于40%。

英伟达据称将下一代旗舰 GPU Rubin Ultra 的主流 HBM 配置从 12-Hi 约 384GB 下调至 8-Hi 192GB，单卡显存接近减半，带动 SK 海力士等内存股下挫。与此同时，闪迪、三星、海力士近期都出现“业绩创新高、股价却走弱”的相似局面，市场焦点已从利润规模转向增速放缓。文章还提到，长鑫科技在 DRAM 份额、产能扩张和国产替代上持续推进，但在 HBM 量产能力上仍与韩厂存在差距。

华邦电总经理陈沛铭表示，DRAM供需紧张将延续到2027年，明年可能更吃紧，部分客户已开始洽谈2029至2030年的长期供货协议。公司同时规划在2027年前成为全球最大SLC NAND供应商，并持续扩大高雄厂产能。分析师则认为，市场低估了CMX带动的SLC NAND需求。