Hot Chips大会上，三星与SK海力士都把HBM竞争重心指向系统协同设计，但路线明显分化。三星提出三阶段路线图，试图把基础芯片从被动通道变成主动计算部分，并以zHBM为终点；SK海力士则围绕12层、16层及更高堆叠推进量产、验证与混合键合研发，同时用iHBM处理热点与热阻问题。美光则把焦点放在AI“内存墙”扩大、HBM封装复杂度和可靠性成本上。

SK 海力士正为下一代 HBM 方案引入包括英特尔 EMIB 在内的先进封装技术，并计划最终进入 3D 封装阶段。公司在 2026 年 Hot Chips 大会上披露，将通过混合键合、增加 TSV 数量、提升逻辑工艺集成的 IO 速度及优化 PDN，推进 HBM 路线图并应对 16 层堆叠与功耗问题。截至发文时，SK 海力士韩股上涨 1.71%。

Sandisk于8月13日投资人日发布长期财务模型，提出FY2028至FY2030营收年均增长约15%至19%、Non-GAAP毛利率约80%、营业利润率约75%等指引，明显高于市场共识。瑞穗证券维持SNDK“优于大盘”评级，并给出1,900美元目标价。公司同时披露HBF技术定位，称其可在接近HBM封装面积下，以约八分之一成本提供相当读取带宽，并将容量提升8至16倍。

三星电子、SK 海力士和美光科技最新财季业绩创下新高，但股价近一个多月均明显回撤，市场担心存储行业再度陷入“涨价—扩产—过剩—暴跌”的旧周期。公开信息显示，三家公司本轮扩产更集中在 HBM 和 AI 服务器用 DRAM，并通过三至五年期长协、保底价格、照付不议和预付款锁定收入。多家机构和产业人士判断，供需缺口至少延续到 2027 年甚至 2028 年前，真正的变量在于长协覆盖率、新增产能释放时间，以及长鑫科技等新进入者在 2028 年后的影响。

IOSG 在一篇关于存储赛道的长文中指出，AI 时代推动资本重新定价存储，核心逻辑已从传统容量生意转向热数据效率。文章将 AI 存储拆分为 HBM、DRAM 与 CXL、企业级 SSD、HDD 及存储软件栈等层级，并称去中心化存储更适合公共数据集存证、AI 训练数据溯源与长期冷记忆归档。文中同时比较了 Filecoin 与 Arweave 的不同路径，并梳理了去中心化存储在产品化、检索体验、企业服务与 Token 激励上的现实挑战。

PANews文章称，2026年8月4日存储行业出现两项关键进展：SK海力士与闪迪在FMS 2026发布高带宽闪存HBF首个标准规范，英伟达则被曝正评估下调Rubin Ultra的HBM配置。文章认为，AI基础设施的核心瓶颈正从单卡内部内存带宽，转向机架与芯粒层面的互联，光电互联、先进封装、HBM、HBF与CXL的价值排序也随之调整。

英特尔 EMIB-T 先进封装商业化进度加快。ABMedia 援引产业消息称，其封装良率已接近 90%，整体封装报价较台积电 CoWoS 低约 40% 至 50%，但基板良率仍约为 50%。报道预计 EMIB-T 将于 2027 年正式量产，主要瞄准 ASIC 与 CPU-based AI 芯片客户，同时英特尔俄亥俄州晶圆厂也在推进 14A 制程量产准备。

福建晋华曾与长江存储、长鑫科技并列为国内三大存储项目之一，却在产线初成时遭遇美国实体清单和刑事指控，进度被迫中断。2024年2月，美国旧金山联邦法院裁定相关指控不成立；在福建国资持续托底下，这家晋江企业保住了团队和产线，目前12英寸晶圆厂月产能约4万片，计划于2026年扩至6万片。